▲ 최시영 삼성전자 DS부문 파운드리사업부장 사장이 7일 '삼성 파운드리 포럼 2021'에서 기조연설을 하고 있다. <삼성전자>
삼성전자는 7일 온라인으로 ‘삼성 파운드리포럼 2021’을 개최했다.
이번 포럼은 ‘한 차원 더하기(Adding One More Dimension)’을 주제로 열렸는데 역대 가장 많은 500개 안팎의 팹리스(반도체 설계전문)회사와 2천 명 이상의 관계자들이 사전등록했다.
삼성전자는 포럼에서 파운드리 신기술인 ‘게이트올어라운드(GAA)’ 도입 계획을 공개했다.
게이트올어라운드 기술은 반도체 트랜지스터의 채널(전류 통로)과 게이트(채널의 기능을 제어하는 부분)가 모두 4면에서 만나도록 하는 설계 기술이다.
해당 기술로 생산한 반도체는 채널과 게이트가 3면에서 만나는 기존의 ‘핀펫(FinFET)’ 기술 기반으로 생산한 반도체보다 전력효율이 높고 성능이 좋으며 설계 유연성이 뛰어나다.
삼성전자는 게이트올어라운드기술을 2022년 상반기 양산하는 3나노미터 공정에 처음 도입하고 2023년 3나노 2세대 공정, 2025년 2나노 공정에도 도입하겠다는 계획을 내놓았다.
3나노 공정은 내년 상반기 양산을 위해 안정적으로 생산 수율을 확보하는 작업이 진행되고 있다.
삼성전자는 핀펫기술의 개선성과도 포럼에서 소개했다.
삼성전자는 핀펫기술을 활용한 17나노 파운드리 신공정을 발표했다. 기존에 쓰이던 28나노 공정보다 이론상 성능을 39%, 전력효율을 49% 높이고 반도체 면적은 43% 줄일 수 있는 기술이다.
28나노 이상 공정을 주로 활용하던 이미지센서와 모바일용 디스플레이드라이버구동칩 등 제품에 앞으로 삼성전자의 17나노 공정을 적용할 수 있다.
삼성전자는 기존 14나노 공정을 마이크로컨트롤러유닛(MCU)에 적용할 수 있는 다양한 옵션도 개발했다.
최시영 삼성전자 DS부문 파운드리사업부장 사장은 포럼 기조연설에서 “삼성전자는 대규모 투자를 통해 생산역량을 확대하고 첨단 미세공정뿐 아니라 기존 공정에서도 기술혁신을 이어가겠다”며 “고객들의 다양한 아이디어가 구현될 수 있도록 차별적 가치를 제공하겠다”고 말했다. [비즈니스포스트 강용규 기자]
