[비즈니스포스트] D램을 비롯한 메모리반도체 호황기가 이전보다 훨씬 오래 지속될 수 있다는 전망이 나왔다.

SK하이닉스와 삼성전자, 마이크론이 주도하는 꾸준한 고대역폭 메모리(HBM) 기술 발전이 반도체 업황 호조를 이끄는 핵심 동력으로 지목된다.
 
메모리 호황기 이전보다 길어진다, HBM 기술 발전에 '3년 지속' 전망 나와

▲ HBM 기술 발전이 메모리반도체 업황 호조를 장기간 주도해 나갈 것이라는 예측이 나온다. 마이크론 HBM3E 기술 홍보용 이미지.


증권전문지 배런스는 23일 투자기관 서스퀘나 보고서를 인용해 “현재 나타난 메모리반도체 호황은 일반적 반도체 업황 사이클과 다른 패턴을 보일 것”이라고 보도했다.

서스퀘나는 D램 반도체가 보통 수요와 공급에 절대적 영향을 받는 소비재처럼 거래되지만 최근 HBM 기술 발전이 이런 상황을 바꿔내고 있다고 분석했다.

기술 발전의 영향이 상대적으로 적은 일반 D램과 달리 HBM은 세대를 거듭하며 신기술이 개발될수록 큰 폭의 성능 개선을 나타내기 때문이다.

서스퀘나는 내년에 출시될 12단 HBM3E, 2026년 상용화될 HBM4 규격 반도체를 예시로 들었다.

HBM은 엔비디아 인공지능(AI) 반도체에 주로 사용되는 고성능 D램이다. 최근 인공지능 반도체 수요 급증에 맞춰 HBM 시장도 빠르게 성장하고 있다.

SK하이닉스와 삼성전자, 마이크론은 고사양 HBM 수요에 대응해 기술 개발 및 생산 증설에 속도를 내고 있다.

서스퀘나는 이러한 HBM의 꾸준한 기술 발전이 이번 D램 호황기를 장기간 이끌어 가는 동력이 될 수 있다고 전망했다.

일반적으로 메모리반도체 업황 호조는 1~2년 정도 유지되지만 이번 호황은 3년까지 지속될 가능성이 있다는 예측도 이어졌다.

서스퀘나는 이번 보고서에서 마이크론 목표주가를 175달러로 유지했다. 22일 미국 증시에서 마이크론 주가는 104.3달러로 거래를 마쳤다. 김용원 기자