[비즈니스포스트] 삼성전자가 8월에 출시할 스마트폰 ‘갤럭시Z플립4’에 대만 TSMC가 제조한 모바일 프로세서(AP)를 탑재해 성능과 발열을 다 잡은 것으로 파악된다.

해외 유명 팁스터(내부정보 유출자) 아이스유니버스는 19일 트위터를 통해 삼성전자 갤럭시Z플립4에 탑재된 AP의 사양과 성능 테스트 결과를 공개했다.
 
갤럭시Z플립4와 갤럭시Z폴드4에는 퀄컴의 스냅드래곤8 Gen1+(플러스)가 탑재된다.

스냅드래곤8 Gen1+는 스냅드래곤8 Gen1의 업그레이드 버전으로 대만 TSMC의 4나노 공정으로 만들어졌다.

이전 모델인 스냅드래곤8 Gen1은 삼성전자 파운드리사업부의 4나노 공정으로 제작됐다.

갤럭시Z플립4를 글로벌 전자기기 성능측정(벤치마크) 사이트인 ‘긱벤치’에서 성능 테스트한 결과 싱글코어 1277점, 멀티코어 3642점이 나왔다.

이는 2021년에 출시된 갤럭시Z플립3(싱글코어 1059점, 멀티코어 3290점)의 점수보다 훨씬 높은 수치다.

올해 초 출시된 갤럭시S22울트라는 싱글코어 1240점, 멀티코어 3392점이었다. 갤럭시S22울트라에는 스냅드래곤8 Gen1이 탑재됐다.

삼성전자는 최근 몇 년 동안 갤럭시S22와 갤럭시S21, 갤럭시Z폴드3까지 프리미엄 스마트폰 모두 삼성전자 파운드리에서 제작된 AP를 탑재해왔다.

하지만 갤럭시S22와 갤럭시S21 모두 발열로 논란이 일자 경쟁사인 TSMC가 제작한 AP 탑재를 결정한 것으로 분석된다.

아이스유니버스는 “TSMC 4나노 공정으로 제작된 새 AP는 갤럭시 팬들이 안도의 한숨을 쉴 수 있도록 할 것”이라며 “전력소비와 성능 측면에서 삼성전자의 4나노 공정보다 좋을 것”이라고 말했다.

이와 같은 AP 성능 개선은 삼성전자 MX(스마트폰)사업부에 좋은 소식이다. 하지만 삼성전자 파운드리사업부에는 부담으로 작용할 수 있다.

결국 최근 갤럭시 시리즈의 발열 문제가 삼성전자 파운드리의 기술력 부족 때문이었다는 의심을 살 수 있기 때문이다.

다만 반도체업계의 한 관계자는 “AP의 성능이나 발열은 기초 설계부터 제조까지 다양한 변수가 존재하기 때문에 어느 하나만을 원인이라고 규정하는 것은 옳지 않다”고 말했다. 나병현 기자