삼성전자가 기존 제품보다 7배 빠른 속도를 내는 차세대 D램 제품을 공개했다.
삼성전자는 세계 최초로 차세대 메모리반도체인 4기가 'HBM D램' 양산에 성공했다고 19일 밝혔다.
▲ 삼성전자가 공개한 차세대 'HBM D램' 단면도.
전세원 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전무는 "차세대 HBM D램 양산으로 초고성능 반도체 시대를 여는 데 기여하게 됐다"며 "3차원 메모리 기술을 기반으로 시장변화에 한발 앞서 대응하고 새로운 성장 기반을 확보해 나갈 것"이라고 강조했다.
삼성전자의 HBM D램은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 20나노 D램 공정으로 생산된다. 삼성전자는 이 제품에 3차원 적층 기술도 적용해 집적도와 성능을 높였다고 설명했다.
삼성전자는 이 신제품이 현재 상용화된 제품 가운데 가장 빠른 그래픽 D램보다 7배 정도의 속도를 내며 전력소모도 절반 수준으로 줄었다고 밝혔다.
차세대 D램은 적층 방식으로 생산돼 면적도 기존보다 크게 줄일 수 있어 여러 휴대용 기기에 다양하게 적용될 수 있을 것으로 전망된다.
삼성전자는 "혁신적인 성능과 공간 효율성을 통해 고성능 D램의 적용범위를 넓혔다"며 "서버와 그래픽카드에 이어 게임기와 가상현실(VR)기기 등에도 탑재될 수 있다"고 강조했다.
삼성전자 관계자는 "반도체 기술의 한계를 삼성전자가 돌파했다"며 "차세대 메모리 제품으로 프리미엄 메모리 시장의 성장을 주도하며 초고속 D램 시대를 열게 될 것"이라고 강조했다. [비즈니스포스트 김용원 기자]