[비즈니스포스트] 미국의 중국 반도체 장비 반입 금지 조치가 반도체 수급 개선 요인으로 작용할 수 있다는 증권사 분석이 나왔다.
김동원 KB증권 연구원은 2일 “현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사는 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 메모리 생산능력 확대에 집중하면서 구형(레거시) D램, 낸드 생산능력은 축소되고 있다”며 “이번 미국의 중국 반도체 장비 반입 금지 조치는 중장기적으로 D램, 낸드 생산량 축소 요인으로 작용해 가격 상승을 자극할 것”이라고 예상했다.
![KB증권 "중국 공장 반도체장비 반입 금지, 범용메모리 수급 개선 요인"]()
1일 삼성전자, SK하이닉스 주가는 직전 거래일보다 각각 3.4%, 4.8% 하락했다.
이는 미국이 발표한 중국 현지 공장의 반도체 신규 장비 반입 금지 영향으로, 향후 공정 업그레이드에 따른 생산성 향상 기대감이 축소됐기 때문이다.
전체 낸드 생산량의 35%를 차지하는 삼성전자 시안공장은 128단에서 176단, 236단 등으로 전환을 추진했다. D램 전체 생산량의 40%를 담당하는 SK하이닉스 우시 공장은 극자외선(EUV) 공정을 한국에서 처리한 뒤 1a D램을 생산하는 체제를 구축했다.
따라서 2026년부터 시행되는 미국의 반도체 장비 반입 금지 조치로 삼성전자, SK하이닉스 중국 공장의 공정 업그레이드는 당분간 쉽지 않을 것으로 전망된다.
이는 범용 반도체의 공급 부족을 불러올 수 있다.
특히 D램, 낸드의 최종 수요처 대부분이 미국 빅테크인 점을 고려하면 향후 메모리 가격 상승은 미국 빅테크의 제조 원가 상승으로 이어져 미국 고객사의 부담 요인으로 작용할 것으로 보인다.
김 연구원은 “미국의 반도체 장비 반입 금지 조치는 D램, 낸드의 생산량 축소와 가격 상승을 불러와, 반도체 수급 개선 요인으로 작용할 것”이라고 내다봤다. 나병현 기자
김동원 KB증권 연구원은 2일 “현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 메모리 3사는 고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 메모리 생산능력 확대에 집중하면서 구형(레거시) D램, 낸드 생산능력은 축소되고 있다”며 “이번 미국의 중국 반도체 장비 반입 금지 조치는 중장기적으로 D램, 낸드 생산량 축소 요인으로 작용해 가격 상승을 자극할 것”이라고 예상했다.
▲ 김동원 KB증권 연구원은 2일 미국의 중국 반도체 장비 반입 금지 조치가 중장기적으로 D램, 낸드 생산량 축소 요인으로 작용할 것으로 분석했다. 사진은 삼성전자 중국 시안 낸드플래시 반도체공장. <삼성전자>
1일 삼성전자, SK하이닉스 주가는 직전 거래일보다 각각 3.4%, 4.8% 하락했다.
이는 미국이 발표한 중국 현지 공장의 반도체 신규 장비 반입 금지 영향으로, 향후 공정 업그레이드에 따른 생산성 향상 기대감이 축소됐기 때문이다.
전체 낸드 생산량의 35%를 차지하는 삼성전자 시안공장은 128단에서 176단, 236단 등으로 전환을 추진했다. D램 전체 생산량의 40%를 담당하는 SK하이닉스 우시 공장은 극자외선(EUV) 공정을 한국에서 처리한 뒤 1a D램을 생산하는 체제를 구축했다.
따라서 2026년부터 시행되는 미국의 반도체 장비 반입 금지 조치로 삼성전자, SK하이닉스 중국 공장의 공정 업그레이드는 당분간 쉽지 않을 것으로 전망된다.
이는 범용 반도체의 공급 부족을 불러올 수 있다.
특히 D램, 낸드의 최종 수요처 대부분이 미국 빅테크인 점을 고려하면 향후 메모리 가격 상승은 미국 빅테크의 제조 원가 상승으로 이어져 미국 고객사의 부담 요인으로 작용할 것으로 보인다.
김 연구원은 “미국의 반도체 장비 반입 금지 조치는 D램, 낸드의 생산량 축소와 가격 상승을 불러와, 반도체 수급 개선 요인으로 작용할 것”이라고 내다봤다. 나병현 기자
