▲ SK하이닉스가 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다. < SK하이닉스 >
SK하이닉스 측은 "그동안 축적해온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보일 수 있었다"며 "핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다"고 말했다.
이번에 공개된 HBM4E 12단 신제품은 이전 세대인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 극대화한 것이 가장 큰 특징이다.
핀(Pin)당 최대 16Gbps(초당 기가비트)의 속도를 구현해 대규모 데이터 처리가 필수적인 AI 학습과 추론 환경에 최적화됐다. 에너지 효율은 20% 이상 개선됐다.
또 최신 인터페이스와 독자적인 설계 최적화 기술을 통해 데이터 전송 지연을 최소화했다. 이를 통해 고대역폭 환경에서도 흔들림 없는 안정적인 동작을 보장해, 차세대 거대언어모델(LLM)과 대규모 컴퓨팅 시스템의 연산 효율을 끌어올릴 수 있다.
HBM4E에는 SK하이닉스의 핵심 기술인 '어드밴스드 MR-MUF' 공정이 적용됐다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 공정이다.
이를 통해 12단 적층 기준 48기가바이트(GB) 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높이고, 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮췄다.
SK하이닉스는 시장에서 검증된 품질과 공급 역량을 기반으로, HBM4E에서도 AI 시스템의 병목을 고객과 함께 해소하며 차세대 인프라 구현을 지원해 나가겠다고 밝혔다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다. 나병현 기자
