[비즈니스포스트] 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 저전력 모바일 D램인 LPDDR6 샘플 공급에 나서며 삼성전자와 SK하이닉스를 바짝 추격하고 있다.

고대역폭메모리(HBM) 분야에서 선도 업체를 따라잡기 어려워진 CXMT가 LPDDR에 역량을 집중해 D램 시장 점유율을 확대하려는 전략으로 풀이된다.

3일 반도체 업계 치재를 종합하면, CXMT는 최근 주요 고객사에 LPDDR6 샘플을 발송했으며, 이르면 2026년 하반기 양산에 들어갈 것으로 예상된다.

삼성전자와 SK하이닉스 역시 올해 하반기 양산을 목표로 LPDDR6를 개발 중인 만큼, 시장 진입 시점 자체로도 크게 차이가 나지 않는 것이다. 

CXMT의 LPDDR6 설계 기준 최대 12.8Gbps(초당 기가비트) 속도를 지원하며, 용량 16GB(기가바이트) 수준으로 이전 세대(LPDDR5X) 대비 기술 최적화를 이뤄낸 것으로 알려졌다. 

이처럼 CXMT가 LPDDR 고도화에 속도를 내는 것은 미국의 대중국 제재로 인해 고부가 D램인 HBM 생산이 어렵기 때문인 것으로 분석된다. 

중국 기업은 미국의 수출 규제로 인해 2019년부터 극자외선(EUV) 노광장비 도입이 막혔고, 2024년부터는 심자외선(DUV) 장비 반입마저 제한됐다. 실제 CXMT는 자체 HBM 생산을 추진 중이나, 실리콘관통전극(TSV) 공정 안정화 문제 등으로 HBM3 양산마저 지연을 겪는 것으로 전해졌다.

이에 따라 CXMT는 막대한 자본과 국가 지원을 바탕으로 모바일 D램 중심의 국산화와 내수 공급망 확보로 방향을 튼 것으로 분석된다.

CXMT는 2023년 LPDDR5, 2025년 10월 LPDDR5X를 선보인 데 이어 1년이 채 되지 않아 LPDDR6 양산 단계까지 진입하며 세대교체 주기를 단축하고 있다.

기존 글로벌 메모리 3사(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)가 HBM 생산 확대에 전력을 다하면서 모바일 D램 생산 여력이 부족해진 점도 CXMT에는 호재로 작용한 것으로 보인다.

글로벌 선도업체들이 소화하지 못하는 D램 수요를 흡수하며 CXMT는 올해 1분기 글로벌 D램 시장에서 점유율 8%로 4위에 올라섰다.

모바일 D램 시장 전망은 밝다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 LPDDR5 D램 시장은 2025년 15억 달러에서 2032년에는 27억2천만 달러(약 4조 원)까지 늘어날 것으로 전망되고 있다. 

LPDDR의 활용처가 온디바이스 AI, 엣지 데이터센터 등으로 넓어지고 엔비디아 차세대 플랫폼 '베라 루빈'에 LPDDR5X 기반 소캠(SOCAMM)이 적용되는 등 HBM 공급 부족을 보완할 대안으로 주목받는 점도 CXMT의 LPDDR 사업 강화에 호재로 작용할 전망이다.

다만 기술 격차는 여전히 존재한다.

앞서 2026년 초 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 공정을 적용해 성능을 대폭 끌어올린 16GB LPDDR6를 공개했다.

SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용해 최대 14.4Gbps의 전송 속도를 구현했고, 삼성전자 역시 10나노급 5세대(1b) 공정을 기반으로 1.025V의 저전압에서 최대 14.4Gbps 속도를 지원하는 제품을 선보였다.

이에 비해 CXMT의 LPDDR6은 10나노급 4세대(1a) 공정을 적용한 것으로 추정되며, 최대 12.8Gbps(초당 기가비트) 속도를 지원한다. 아직 한국 기업들과 약간의 기술 차이는 있으나, LPDDR6 양산을 거의 동일한 시기로 맞출만큼 기술 개발 속도를 높인 것으로 풀이된다.

반도체 업계 관계자는 "모든 고객사들이 D램을 달라고 요청하고 있는 상황에서 삼성전자·SK하이닉스의 공급 여력이 부족하니, 나머지 미충족 수요를 CXMT가 소화하며 D램 시장 점유율을 높여갈 것이라고 예측한다"며 "다만 이는 호황기에 발생하는 일이며, 불황기에는 기술력과 가격 경쟁력을 갖춘 삼성전자와 SK하이닉스에 다시 수요가 몰릴 것"이라고 말했다. 김나영 기자