김기남 삼성전자 반도체총괄 겸 시스템LSI사업부 사장이 삼성전자의 D램 기술력에 대해 강한 자신감을 보였다.
김 사장은 6일 서울 서초사옥에서 열린 수요 사장단회의에 들어가며 “10나노 초반대 D램 개발도 가능하겠느냐”는 기자들의 질문에 “그렇다”고 대답했다.
▲ 김기남 삼성전자 반도체총괄 겸 시스템LSI사업부 사장.
삼성전자는 D램 미세공정 기술을 10나노대로 끌어올렸으며 2월부터 18나노 미세공정기술을 이용한 D램양산에 돌입했다고 5일 밝혔다.
D램 등 메모리반도체는 미세공정 기술에서 앞설수록 원가를 개선할 수 있어 다른 업체들과의 경쟁에서 유리한 고지를 확보할 수 있다.
김 사장은 2월 한국반도체산업협회장 자리에서 물러날 때 퇴임사에서 “반도체 기술에 한계는 없다”며 “다만 해결방안을 찾는 데 시간이 걸릴 뿐”이라고 강조했다.
삼성전자는 SK하이닉스, 미국의 마이크론 등 경쟁 메모리반도체 회사들보다 D램 미세공정 기술에서 1~2년의 기술격차를 벌리고 있다. SK하이닉스와 마이크론은 아직 20나노대 D램 생산비중도 그리 높지 않은 것으로 알려졌다.
시장조사기관 IHS에 따르면 지난해 전세계 D램 시장점유율은 삼성전자가 45.3%, SK하이닉스가 27.7%, 마이크론이 20%를 차지했다.
삼성전자는 1992년 이후 24년 연속 D램 반도체 세계 1위 자리를 지키고 있다. [비즈니스포스트 오승훈 기자]