[비즈니스포스트] 전영현 삼성전자 반도체(DS)부문장 부회장이 차세대 고대역폭메모리(HBM)에서 경쟁력을 확보하겠다고 밝혔다.

전 부회장은 19일 경기도 수원시 수원컨벤션센터에서 열린 제56기 정기 주주총회에서 DS부문 경영전략을 주주들에게 설명했다.
 
그는 “올해 글로벌 반도체 시장은 전년 대비 16% 성장할 것”이라며 “하지만 수요 양극화가 심화될 것”이라고 진단했다.

이어 “DS 부문은 2025년을 근원적 경쟁력 회복의 해로 만들기 위해 문제 원인을 스스로에게서 찾고, 도전과 몰입의 반도체 조직문화를 강화할 것”이라고 덧붙였다.

그는 메모리반도체는 기술 리더십 회복에 초점을 맞출 것이라고 밝혔다.

그는 “메모리는 선단 공정 기반 HBM 적기 개발로 차세대 AI 제품 경쟁력을 확보하고, 고성능·고용량 솔리드스테이트드라이브(SSD) 라인업 확대를 통해 시장 요구 사항에 적극 대응하겠다”고 말했다.

올해 HBM 공급량을 전년 대비 2배 수준으로 확대하고, 커스텀(맞춤형) HBM 준비를 통해 고수익 반도체 시장에 적극 대응하겠다고 밝혔다.

또 낸드플래시는 고성능, 고용량 SSD 등 고부가 차별화 제품 강화를 통해 사업의 질을 제고한다는 방침을 세웠다.

그는 “파운드리는 고객 서비스 중심 사고를 바탕으로 사업 경쟁력을 확보해 고객 만족도를 높여나갈 계획”이라며 “특히 고객 중심의 디자인 인프라 구축을 위해 응용별 설계자산(IP)을 선제적으로 준비하고, 설계 역량도 개선할 방침”이라며 “수율 개선, 비용 절감 등으로 수익 구조도 개선해나갈 것”이라고 말했다.

시스템LSI사업부는 제품 경쟁력을 강화해 안정적 성장을 위한 사업 내실화를 추진한다.

그는 “온디바이스 생성형 AI용 시스템온칩(SoC) 솔루션을 선제적으로 대응하고, 차별화 이미지센서 기술을 개발해 플래그십 제품 경쟁력을 강화하겠다”고 했다.

그는 “2025년 DS부문은 성장성과 수익성 강화에 집중해 어떤 환경에서도 지속 성장하는 기반을 구축하고, 차별화된 제품과 기술 리더십을 기반으로 사업을 지속 성장시켜나갈 것”이라고 덧붙였다. 나병현 기자