SK하이닉스가 올해 하반기에 모바일과 서버용 D램의 비중을 높이기로 했다.

또 낸드플래시사업에서 집적도를 높인 트리플레벨셀(TLC) 제품의 생산을 늘리며 신기술 개발에 박차를 가하기로 했다.

SK하이닉스는 특히 올해 투자규모를 기존 5조원 대 중반에서 6조 원 이상으로 늘리기로 했다.

김준호 SK하이닉스 경영지원부문 사장은 23일 2분기 실적 컨퍼런스콜을 통해 모바일과 서버용 D램 분야에서 고부가가치제품 생산을 늘려 시장변화에 대응하겠다고 밝혔다.

김 사장은 “SK하이닉스는 3분기 모바일 D램 비중을 전체의 40%로 늘리고 PC용 D램 비중은 20%로 줄일 것”이라며 “변화하는 시장 환경에 대응해 DDR4와 저전력(LP) DDR4 생산을 기존 계획보다 늘리고 DDR3 생산은 축소하려 한다”고 말했다.

DDR4 제품은 DDR3 제품보다 처리속도는 2배 빠르며 전력소비는 35% 적다.

SK하이닉스가 이런 전략을 추진하는 것은 PC용 D램시장의 상황이 녹록치 않기 때문이다.

SK하이닉스는 PC용 D램의 수요가 감소한 탓에 D램 평균판매단가가 전분기보다 8%나 줄었다. 이에 따라 2분기 영업이익과 매출도 모두 전분기보다 줄었다.

SK하이닉스는 PC용 D램의 업황이 당분간 개선되기 어려울 것으로 전망하고 있다.

김 사장은 “PC용 D램 수요가 기대보다 저조해 상반기에 PC D램 재고가 늘었다”며 “연말에 새로 출시되는 PC로 D램수요가 늘겠지만 어려운 상황이 이어질 것”이라고 내다봤다.

SK하이닉스는 반면 고용량 고성능 DDR4 기반의 서버와 모바일 D램은 수요가 증가할 것으로 내다보고 있다. 이에 따라 이들 제품의 비중을 늘려 돌파구를 마련하겠다는 것이다.

김 사장은 “서버용 D램은 고용량 제품 확대와 IDC 업체들의 신규세트 수요가 지속될 것으로 보인다”며 “모바일 D램도 대형 스마트폰 업체용 고성능 제품 수요가 크게 늘고 신흥시장의 중고가 스마트폰 생산이 늘어 호조가 예상된다”고 전망했다.

SK하이닉스는 새로운 먹거리인 낸드플래시에서도 트리플레벨셀(TLC) 제품의 생산비중을 확대하고 관련 기술개발에 속도를 내려고 한다.

트리플레벨셀은 기존 멀티레벨셀(MLC) 제품보다 저장효율이 2~3배 뛰어나고 원가도 25% 정도 줄일 수 있다.

김 사장은 “SK하이닉스는 2분기부터 출하한 10나노급 TLC 제품의 생산비중을 확대해 나갈 것”이라며 “3분기 안에 3D 2세대(36단) 제품의 개발을 마치고 3세대(48단) 제품도 올해 안에 개발을 완료할 것”이라고 말했다.

김 사장은 “낸드플래시시장은 모바일 신제품 출시와 솔리드스테이트드라이브(SSD)시장 확대 등에 따라 지속적으로 성장할 것"이라고 예상했다.

SK하이닉스는 미래성장과 환경안전을 위해 추가로 투자하면서 예정보다 투자를 늘리려 한다. SK하이닉스는 1분기에 올해 투자금액을 5조 원에서 5조 원대 중반으로 늘려 잡았다.

김 사장은 “올해 상반기 환경안전과 인프라 투자가 추가로 이뤄지면서 올해 투자규모가 6조 원 이상이 될 것”이라며 “올해 2분기에만 1조8천억 원의 투자를 집행했으며 상반기 투자규모는 3조7천억 원에 이른다”고 설명했다. [비즈니스포스트 오대석 기자]