생애
[Who Is ?] 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장.

이정배는 삼성전자 메모리사업부장 사장이다.

D램과 낸드 등 삼성전자의 주력인 메모리반도체사업을 총괄하고 있다.

삼성전자의 세계 메모리 반도체 1위 기업 지위를 다지기 위해 기술력을 강화하고 있다.

2023년부터 반도체 업계에서 처음으로 5세대 10나노미터급 D램을 양산하고 2024년에는 9세대 V낸드 생산에 나설 계획을 추진하고 있다.

1967년 음력 2월27일 태어나 양정고등학교와 서울대학교 전자공학과를 졸업했다.

서울대학교 대학원에서 전자공학 석사학위와 박사학위를 받았다.

삼성전자에 입사해 D램설계팀장, 상품기획팀장, 품질보증실장, D램개발실장을 지냈다.

2020년 메모리사업부장 사장을 맡은 뒤 삼성전자의 현금창출원(캐시카우) 역할을 하는 메모리사업부가 D램과 낸드 사업에서 높은 수익을 내는 데 역점을 두고 있다.

겸손한 성품을 지녔다.

경영활동의 공과


△14나노미터 D램 생산에 극자외선(EUV) 공정 확대 도입
이정배는 삼성전자의 D램 양산에 극자외선 장비 활용 폭을 확대했다.

삼성전자는 2021년 10월 업계에서 처음으로 5개 레이어(층)에 EUV 공정을 적용해 14나노미터 D램 양산을 시작했다. 삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 D램 생산에 EUV 공정을 적용했고, 같은 해 8월 10나노급 D램 생산에도 EUV 공정을 적용했다.

삼성전자는 다수 레이어에 극자외선 공정을 적용해 제품의 성능뿐 아니라 생산성도 높인 것으로 파악된다. 여러 개(5개)의 레이어에 극자외선 공정을 적용해 D램을 생산하는 곳은 삼성전자뿐이다.

삼성전자는 DDR5 규격의 D램에 극자외선 공정을 가장 먼저 적용해 DDR5 D램의 대중화를 선도하기로 했다.

DDR5 D램은 기존 DDR4 D램보다 속도가 2배 이상 빠르다. 최근 데이터를 이용하는 분야가 인공지능이나 머신러닝 등으로 고도화되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 등의 시장에서 DDR5 D램의 수요가 커지고 있다.

삼성전자는 이번 공정 개선을 바탕으로 단일 칩 기준 최대 용량인 24GB의 D램까지 양산한다는 계획을 세웠다. 이를 통해 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기로 했다.

삼성전자는 2022년 7월 EUV 공정을 기반으로 업계 최고 속도인 24Gbps의 GDDR6 D램을 개발했다. 하이케이 메탈게이트(HKMG) 기술도 적용해 기존 18Gbps GDDR6 D램보다 30% 이상 빠른 동작 속도를 구현했다.
[Who Is ?] 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장

▲ 삼성전자 메모리사업부 실적.

△반도체협회장과 삼성전자 사내이사 선임으로 존재감 확대
이정배는 메모리사업부장을 맡은 후 삼성전자 안팎에서 역할을 확대하고 있다.

2021년 3월 진교영 당시 삼성전자 종합기술원장 사장의 뒤를 이어 반도체산업협회장에 올랐다.

반도체산업협회는 회원사가 270곳으로 국내에서 규모가 큰 업종협회 가운데 하나로 꼽힌다. 삼성전자와 SK하이닉스 같은 굵직한 글로벌 기업뿐 아니라 동진쎄미켐, 주성엔지니어링 등 장비와 소재 업체, ASML 같은 외국계 기업도 가입해 있다.

이정배는 미국 정부의 반도체 관련 통상 압력에 대응해 2021년 9월 민관이 함께 참여하는 반도체 연대·협력 협의체 결성을 주도했다. 민간 기업으로는 삼성전자, SK하이닉스, DB하이텍, 원익IPS, 네페스, 동진쎄미켐, 실리콘마이스터 등이 참여했다.

이정배는 2021년 10월26일 협회 주관으로 열린 제23회 반도체대전(SEDEX 2021) 개막 기조연설에서 반도체의 역할이 중요해지면서 기술적 어려움도 커지고 있다며 소부장(소재·부품·장비) 협력과 전문인력 양성이 필요하다고 강조했다.

2021년 11월22일 제14회 반도체의 날 행사에서는 "세계 반도체 기업들이 총성 없는 전쟁을 벌이고 있다"며 "업계가 힘을 모아 대응하자"고 역설했다. 협회 창립 30주년을 맞아 비전선포식과 '협회 30년사' 봉정식도 열었다.

행사에서 이정배는 반도체 산업 유공으로 금탑산업훈장을 수훈했다. 반도체의 날에 수여되는 훈장의 최고 훈격이 은탑에서 금탑으로 격상되어 전임자인 진교영 사장이 받은 은탑산업훈장보다 등급이 높은 훈장을 받았다.

이정배는 2022년 3월 정기 주주총회에서 삼성전자 사내이사로 선임됐다. 일반적으로 삼성전자 사내이사는 각 부문 대표이사들이 맡아왔는데 이번에 노태문 MX사업부장 사장과 함께 사업부장으로서 사내이사로 선임돼 주목을 받았다.

이정배는 사내이사 선임 전후인 2022년 2월과 4월 삼성전자 주식을 5천 주씩 사들여 보유 주식을 1만5천 주까지 늘렸다. 이는 책임경영을 위한 행보로 해석됐다.
[Who Is ?] 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장(가운데)이 2021년 11월 22일 '제14회 반도체의 날' 행사에서 금탑산업훈장을 받은 뒤 문승욱 산업통상자원부 장관(왼쪽)과 기념촬영을 하고 있다. <산업통상자원부>

△차세대 D램 기술개발 박차
삼성전자는 2021년 세계에서 처음으로 차세대 모바일 D램인 LPDDR5X와 서버용 D램인 HKMG 공정 적용 고용량 DDR5를 개발했고, 데이터센터의 성능을 대폭 개선해주는 기반 D램 기술(CXL 기술)을 개발하는 데도 성공했다.

모두 D램 업계에서 처음으로 이룬 쾌거이며 메모리사업부장인 이정배의 기여도가 높았다고 평가된다.

삼성전자는 앞서 2018년 세계에서 최초로 LPDDR5 모바일 D램을 개발한 데 이어 2021년 LPDDR5X 모바일 D램도 가장 먼저 개발했다.

LPDDR5X D램의 구동속도는 이전 세대 제품인 LPDDR5 모바일 D램에 비해 약 1.3배 빠른 것으로 파악된다. 삼성전자는 2022년 상반기에 14나노 기반 LPDDR5X D램의 성능을 퀄컴의 최신 모바일 플랫폼에서 검증받기도 했다.

삼성전자가 첨단공정인 하이케이 메탈게이트(HKMG) 공정을 적용해 만든 서버용 D램 512GB DDR5 메모리 모듈도 업계에서 최초로 내놓은 제품이다. DDR5는 차세대 D램 규격으로서 기존 규격인 DDR4보다 2배 이상의 데이터 전송속도(7200Mbps)를 구현할 수 있다.

CXL 메모리 기술도 삼성전자가 이룬 성과 가운데 하나다. 삼성전자는 2021년 5월 세계 최초로 CXL 기반 D램 기술을 개발했고, 협력업체들과 평가하는 과정을 거쳐 2022년 5월 512GB CXL D램을 개발했다.

CXL은 고성능 컴퓨팅 시스템에 중앙처리장치(CPU)와 함께 사용되는 가속기, 메모리, 저장장치 등의 효율성을 높여주는 체계를 말한다.

삼성전자에 따르면 CXL용 D램은 인공지능(AI), 머신러닝, 빅데이터 등과 관련해 데이터센터의 성능을 획기적으로 개선할 수 있는 대용량·고대역 D램 기술이다. 전체 시스템메모리 용량을 테라바이트(TB)급까지 확장할 수 있게 해 앞으로 활용처가 넓어질 것으로 예상된다.

2021년 6월에는 모바일용 D램과 낸드플래시를 결합한 복합칩 패키지 ‘LPDDR5 uMCP’를 내놨다. 복합칩 패키지는 2개 이상의 서로 다른 기능을 하나의 패키지로 묶은 반도체다.

삼성전자는 플래그십 스마트폰에 탑재되는 것과 동일한 최고 성능 메모리인 LPDDR5 제품과 낸드플래시의 최신 인터페이스인 UFS 3.1을 지원하는 최고 사양의 솔루션을 적용해 제품 성능을 높였다.

△낸드플래시 기술 고도화
이정배는 2020년 12월 메모리사업부장 사장에 취임한 뒤 낸드플래시(SSD) 분야에서 고른 연구개발 성과를 내며 기술 고도화를 이끌었다.

삼성전자는 2021년 2월 오픈 컴퓨트 프로젝트(OCP) 규격을 만족하는 데이터센터 전용 고성능 SSD의 양산에 들어갔다. 업계 최초로 6세대 V낸드플래시를 기반으로 데이터 전용 SSD를 내놓은 것이다.

같은 해 4월에는 최신 SAS 표준을 지원하는 서버용 SSD도 내놨다. SAS는 서버나 대형 컴퓨터의 스토리지(저장장치)에 쓰이는 고속 데이터 전송 인터페이스다.

2021년 6월에는 차세대 기업서버용 SSD인 ‘ZNS SSD’를 출시했다. 저장공간을 일정한 용량의 구역(Zone)으로 나눠 SSD를 효율적으로 활용할 수 있게 해주는 차세대 기술 ZNS를 적용했다.

2021년 12월에는 PCIe 5.0 규격의 엔터프라이즈 서버용 고성능 SSD 'PM1743'을 개발했다. 6세대 V낸드와 자체개발한 PCIe 5.0 컨트롤러를 탑재해 업계 최고 수준 성능을 구현했다. 삼성전자는 이 제품으로 CES 2022에서 혁신상을 수상했다.

삼성전자는 2022년 8월 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 플래시 메모리 서밋 2022에서 차세대 메모리 솔루션을 대거 선보였다. 서버 시스템 공간 활용도를 높인 페타바이트 스토리지, 인공지능(AI) 머신러닝(ML)에 최적화된 메모리 시맨틱 SSD, 스토리지를 안정적으로 관리할 수 있는 텔레메트리 등을 소개했다.

이 밖에 삼성전자는 레드햇, 웨스턴디지털 등 글로벌 기업과 협력해 다양한 메모리 솔루션을 개발하고 있다. 차량용 고성능 SSD, 소비자·전문가용 제품도 확대하고 있다.

△메모리사업부장에 발탁
이정배는 2020년 12월 삼성전자 메모리사업부장 사장이 됐다. 종합기술원장으로 이동한 진교영 전 메모리사업부장의 후임이다.

삼성전자는 이정배가 메모리사업부장으로서 D램뿐 아니라 낸드, 솔루션 등 모든 메모리 제품에서 경쟁사와의 초격차를 확대해 갈 것으로 기대했다.

이정배는 메모리사업부를 이끌며 4세대 10나노급(1α) D램 연내 양산과 7세대 V낸드 출시 등을 추진하게 됐다.

이정배는 2021년 2월 양향자 K뉴딜위원회 부위원장 등 더불어민주당 의원들과 장석영 과학기술정보통신부 차관이 평택캠퍼스를 방문해 연 회의에 박학규 DS부문 경영지원실장, 이인용 CR담당 사장 등과 함께 참석해 반도체 패권 유지 방안 등을 논의했다.

이정배는 앞서 D램개발실장으로서 세계 최초 3세대 10나노급(1z) D램 개발, 세계 최초 12기가비트(Gb) LPDDR5 모바일 D램 양산 등의 공로를 세웠다.

극자외선(EUV) 공정을 적용해 D램 양산 체계를 갖추는 데도 기여했다. 2020년 3월 극자외선 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만 개를 공급했다.

2020년 8월 세계 최대 규모 반도체공장인 평택2공장에서 출하하는 첫 제품으로 극자외선 공정을 적용한 16기가비트 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 내놓기도 했다.

△낸드 제품 출시 전략 주도
상품기획팀장 시절에는 D램뿐 아니라 낸드 상품 전략도 이끌면서 전문 분야를 메모리 전반으로 넓혔다.

이정배는 2015년 3월 3비트 낸드플래시에 기반한 128기가바이트(GB) 스마트폰용 메모리 출시를 주도해 스마트폰 대용량화로 가는 발판을 마련했다.

프리미엄 스마트폰에는 고성능 유니버설플래시스토리지(UFS)를 적용하고 보급형 스마트폰에는 임베디드멀티미디어카드(eMMC) 규격을 적용하는 투트랙 전략으로 대용량 스마트폰 시장을 공략했다.

2016년에는 세계 최초로 256기가바이트 UFS 외장형 메모리 카드를 공개했다. 세계 최초 15.36테라바이트(TB) 서버용 SSD 출시와 세계 최초 512기가바이트 최소·최경량 PC용 SSD 출시 등도 이정배의 손으로 이뤄졌다.

저전력 차세대 메모리에서 성장동력을 찾는 '그린메모리' 전략도 이끌었다. 2014년 5월 홍콩에서 열린 투자자포럼에서 글로벌 데이터 사용량이 폭발적으로 늘어나고 있지만 전력과 서버용량이 이를 따라가지 못할 수 있다며 저전력 고용량 그린메모리가 주목받을 것으로 예상했다.

이정배는 그린 D램으로 DDR4를 소개했다. 기존 DDR3보다 전력소모는 15% 줄이고 성능은 39% 개선한 제품이다. 또 10나노급 D램과 3차원 V낸드를 비롯해 M램, P램 등 차세대 혁신 메모리가 주축을 이루는 시대를 전망했다.

이정배는 이런 각종 성과를 바탕으로 이재용 삼성전자 부회장 구속 등의 여파로 뒤늦게 최소폭으로 실시된 2017년 5월 인사에서 부사장으로 승진해 품질보증실장을 맡았다.

최시영 시스템LSI사업부 제조센터장과 황성우 종합기술원 연구센터장을 포함한 DS부문의 부사장 승진자 5명 중 최연소였다.

△차세대 D램 표준화에 기여
메모리사업부 D램설계팀 시절에는 DDR1·DDR2·DDR3 등 차세대 D램 표준화 및 양산제품 개발에 참여했다.

이정배는 삼성전자의 D램 주도권 유지를 위해 선행기술 개발에 뛰어들고 기술을 특허화했다. 이 공로로 산업포장을 받기도 했다.

특히 1997년 미국전자공업협회(EIA)의 하부조직인 반도체표준협의기구(JEDEC)에 참여해 SD램 이후 차세대 D램 표준이 결정되는 과정에서 인텔이 주도하는 램버스D램(RD램)이 아닌 삼성전자가 제안한 DDR D램이 표준으로 채택되도록 하는 성과를 냈다.

1년 넘는 논의 끝에 HP가 삼성전자 표준을 지지하면서 DDR이 차세대 표준이 됐다. 이는 삼성전자가 반도체 공정 분야뿐 아니라 설계 분야에서도 리더십을 확보할 수 있는 계기가 됐다.

삼성전자는 차세대 D램 표준화 기술 개발로 2001년부터 2005년까지 모두 29조5천억 원의 매출 효과를 거뒀다. 직접적 매출 효과 외에 기술사용료 등 간접적 매출 효과도 컸던 것으로 평가된다.

이정배는 D램설계팀장을 맡고 있었던 2012년에는 초당 1066메가비트(Mb)의 모바일D램 최고속도를 구현한 30나노 4기가비트(Gb) LPDDR 모바일D램 개발로 12주차 IR52 장영실상을 수상했다.

비전과 과제/평가

◆ 비전과 과제
[Who Is ?] 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장이 2022년 10월6일 열린 '삼성테크데이 2022' 행사에서 발표를 하고 있다. <삼성전자>

이정배는 글로벌 경기불황 속에서 삼성전자의 세계 메모리 반도체 1위 기업 지위를 다지기 위해 기술력으로 돌파구를 찾겠다는 의지를 보이고 있다.

이정배는 2023년부터 반도체 업계에서 처음으로 5세대 10나노미터급 D램을 양산하고 2024년에는 9세대 V낸드 생산에 나선다는 계획을 내놨다.

이들 제품은 공정을 더 미세화하고 적층기술을 고도화한 차세대 메모리 반도체다. 일반적으로 D램은 반도체 회로폭을 좁히는 방향으로 성능개선이 이뤄진다.

낸드플래시는 SSD 등에 활용되는 메모리 반도체로 반도체 소자를 높이 쌓아 성능을 향상시킨다. 소자를 수직으로 적층해 만든 낸드플래시를 V낸드, 3D낸드 등으로 부른다.

글로벌 반도체 업체 마이크론과 SK하이닉스는 2022년 들어 새로운 낸드플래시를 선보이며 삼성전자와의 격차를 좁히는 것을 넘어 앞서가려는 의지를 강하게 내보이고 있다.

미국 마이크론은 2022년 7월 232단 낸드플래시를 선보였다. 이는 기존 176단 낸드플래시보다 속도가 50%가량 빨라진 제품이다. SK하이닉스도 2022년 8월 238단 낸드플래시를 공개하면서 2023년 상반기에 양산에 들어간다고 밝혔다.

삼성전자는 이런 경쟁사들의 추격에 대응해 2030년까지 1천 단 규모의 V낸드를 개발하겠다는 포부를 알렸다.

한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 2022년 10월 열린 삼성 테크데이에서 “삼성전자는 이미 300단 규모의 낸드플래시를 개발할 기술력을 갖췄지만 1천 단은 다른 이야기”라며 “삼성전자는 낸드플래시 시장에서 혁신적 기술로 새로운 시장을 열어나갈 것”이라고 말했다.

이정배는 최근 불거진 반도체 위기설과 관련해서도 감산을 하지 않고 정면돌파하겠다는 뜻을 내비쳤다.

당장 상황이 좋지 않더라도 예정된 경로를 바꾸지 않겠다는 것이다. 2022년 하반기 들어 인플레이션과 고금리, 경기침체 장기화로 스마트폰과 컴퓨터, TV 등 전자제품 소비가 줄어들면서 IT 세트 업체들이 반도체 주문을 줄이고 있다.

글로벌 메모리 3위 업체인 미국 마이크론은 하반기에 생산량을 줄이고 반도체 장비 투자도 30% 줄이기로 했다.

삼성전자는 그동안 인위적 감산을 하기보다는 웨이퍼 투입을 줄여 생산량이 줄어들게 하거나 생산라인을 조절하는 방식을 취해왔다.

증권업계에서는 삼성전자가 기술력을 바탕으로 원가 경쟁력을 키워나갈 것으로 보고 있다.

김동원 KB증권 연구원은 “삼성전자는 첨단 D램 공정에 필수적인 극자외선장비(EUB)를 경쟁회사보다 5배 이상 많이 확보해 공정에 투입할 것으로 예상된다”며 “이에 따라 2023년부터 D램 이익률에서 경쟁사와의 격차를 더욱 벌릴 수 있어 원가 경쟁력이 부각될 것”이라고 말했다.

◆ 평가
[Who Is ?] 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장의 D램연구팀 수석연구원 시절 모습. <'85학번이 05학번에게'(2005) 중에서>

30년 가까이 D램 분야에만 종사한 D램 전문가다. 상품기획팀장, 품질보증실장 등을 거치면서 대형 고객사의 요구사항을 정확히 꿰뚫고 있는 것으로 평가받는다.

2022년 현재 삼성전자 사장단 중 노태문 무선사업부장 사장(1968년 출생), 이원진 MX서비스비즈팀장 사장(1967년 8월 출생)에 이어 세 번째로 나이가 적다.

서울대 전자공학과 85학번이다. 김택진 엔씨소프트 대표와 동기다.

삼성전자의 산학장학금을 받아 대학원을 다녔다. 삼성전자에 입사한 후 7년 만에 수석연구원에 올랐다. 일반적으로 수석연구원이 되려면 8~9년 정도 걸리는 데 비해 1~2년 빨랐다.

입사 후 반도체 설계부서로 배치받았다. 삼성전자 메모리담당 사장을 지낸 조수인 당시 설계팀장이 당장 결과를 내라고 하는 대신 3년 동안 업무파악을 하며 적응할 시간을 줬다고 한다.

후배들에게 기본적 원리와 이치에서 벗어나지 않고 최대한 간단하게 반도체를 설계하도록 조언하는 것으로 알려졌다.

어릴 때 공부보다 그림 그리기를 좋아해 미술반 활동을 했다. 학교 대표로 사생대회에 참가해 내부무장관상 등 여러 상을 받았다.

중학교에 진학하기 힘들 만큼 가정형편이 어려워 장학금을 받기 위해 열심히 공부했다고 한다. 경제적으로 넉넉하지 않아 가고 싶었던 물리학과 대신 취직이 잘되는 전자공학과를 선택했고, 유학 대신 국내 대학원 진학을 결정했다. 삼성전자 산학장학금을 받게 된 것이 학위를 따는 데 도움이 됐다.

서울대 의대 85학번인 홍혜걸 의학 전문기자 등과 함께 20년 후배들을 대상으로 한 책 ‘85학번이 05학번에게’ 저술에 인터뷰이로 참여했다.

독실한 기독교인이다. 흡연은 하지 않는다고 한다.

겸손한 성품을 지닌 것으로 평가받는다.

이정배는 2022년 들어 경계현 삼성전자 대표이사가 임직원들과 소통하는 ‘위톡’을 진행하자 이에 참여해 직원들과의 접촉면을 넓히고 있다.

이정배는 2022년 2월23일 위톡에 참여해 메모리사업부 임직원들과 1시간30분가량 대화를 나눴다. 이때 책임경영과 소속의식 고취 등을 강조하면서 직원들을 격려하고 질문에 열의를 보이며 답변한 것으로 전해진다.

이정배가 콘퍼런스콜이나 외부행사가 아닌 자리에서 직원들과 같이하는 시간을 마련한 것은 이례적이라는 말도 나온다.

사건사고
[Who Is ?] 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장

이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장이 2021년 10월26일 온라인으로 열린 '제23회 반도체대전'에서 기조연설을 하고 있다. <삼성전자>

△코로나19에 따른 중국의 시안 봉쇄에 낸드공장 비상가동
삼성전자는 2021년 12월23일 코로나19 확산에 따른 중국의 시안 봉쇄에 대응해 시안 낸드플래시 공장을 비상운영 체제로 전환했다.

시안 방역당국은 전날 주민의 외출을 전면 통제하는 봉쇄 조치를 발표했다. 이에 따라 기업들은 재택근무를 실시해야 했고, 모든 가정은 생필품 구매를 위해 외출을 2일에 1번 1명만 허용받게 됐다.

삼성전자는 라인 가동을 위한 필수인력을 자택이 아닌 별도 숙소에 머물게 하며 외부 접촉을 최소화했다.

삼성전자의 시안 낸드플래시 공장은 삼성전자가 유일하게 해외에서 운영하는 메모리 공장으로 2014년 완공됐다.

이 공장은 삼성전자의 전체 낸드플래시 생산량 중 40%가량을 담당하고 있다.

△미국 메모리반도체 모듈 업체와 벌인 특허 관련 1심 소송에서 패소
삼성전자는 미국 메모리반도체 모듈 업체 ‘넷리스트’와 벌인 특허소송 1심에서 2022년 2월 패소했다. 하지만 특허소송이 종결된 것은 아니며 삼성전자는 항소를 준비하고 있는 것으로 알려졌다.

미국 캘리포니아 중부지방법원은 삼성전자와 넷리스트의 공동개발면허협정(JDLA)과 관련한 재판에서 넷리스트의 손을 들어주는 판결을 내렸다.

넷리스트는 삼성전자와 크로스라이선스(상호특허협력) 계약을 맺었다가 갈등을 빚었다. 넷리스트는 2000년 설립돼 미국 나스닥에 상장된 메모리 반도체 모듈 전문업체다.

넷리스트는 2015년 11월 삼성전자로부터 2300만 달러의 투자금을 받고 메모리 반도체와 관련해 협력하기로 했다.

넷리스트는 SK하이닉스와도 특허분쟁을 벌인 적이 있다. 넷리스트는 2020년 SK하이닉스를 상대로 텍사스 서부지방법원에 특허침해 소송을 제기했고, SK하이닉스는 2021년 4월 넷리스트와 크로스라이선스를 맺으며 분쟁을 일단락지었다.

경력/학력/가족
◆ 경력
[Who Is ?] 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장

▲ 2012년 3월 이정배 삼성전자 메모리사업부 D램설계팀장 상무(가운데)가 4Gb LPDDR2 모바일D램으로 IR52 장영실상을 수상한 뒤 함께 수상한 연구원들과 기념사진을 찍고 있다. <한국산업기술진흥협회>

1992년 삼성전자에 입사했다.

1995년 3월부터 2006년 1월까지 삼성전자 메모리사업부 D램설계팀 수석을 지냈다

2006년 2월부터 2008년 2월까지 삼성전자 메모리사업부 ATD팀 수석을 맡았다.

2008년 3월부터 2011년 12월까지 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 D램설계팀 수석연구원으로 일했다.

2011년 12월 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 D램설계팀장이 됐다.

2013년 12월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 전략마케팅팀 상품기획팀장을 맡았다.

2017년 5월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 품질보증실장 부사장으로 승진했다.

2018년 12월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 D램개발실장으로 이동했다.

2020년 12월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 사장으로 승진했다.

◆ 학력

1985년 양정고등학교(68회)를 졸업했다.

1989년 서울대학교 전자공학과를 졸업했다.

1991년 서울대학교 전자공학과에서 석사학위를 받았다.

1995년 서울대학교 전자공학과에서 박사학위를 받았다.

◆ 가족관계

1남2녀 중 장남이다.

1995년 6월10일 결혼해 슬하에 2007년 출생의 딸을 두고 있다.

◆ 상훈

2006년 5월19일 제41회 발명의 날에 차세대 D램 관련 특허를 낸 공로로 산업포장을 받았다.

2021년 11월22일 제14회 반도체의 날 행사에서 세계 메모리 반도체 시장 점유율 1위를 연이어 달성하고 세계 최고의 D램 제품을 개발해 양산한 공로를 인정받아 금탑산업훈장을 받았다.

◆ 기타

2022년 10월7일 기준으로 삼성전자 주식 1만5천 주를 보유하고 있다. 2022년 10월7일 종가 기준으로 모두 8억4300만 원어치다.

2022년 5월1일 기준으로 삼성바이오로직스 68주, 삼성SDI 130주, 삼성전기 900주, 삼성SDS 100주, 호텔신라 1050주도 보유하고 있다. 2022년 10월7일 종가 기준으로 모두 3억3천여만 원어치다.

어록
[Who Is ?] 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장이 2019년 7월 열린 D램개발실 신입사원 입사 1주년 기념행사 '블루페스티벌'에서 후배들에게 조언하고 있다. <삼성반도체이야기>

“삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 전체 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고 이 가운데 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 디지털 전환이 빠르게 진행되고 있다. 앞으로 고대역폭, 고용량, 고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나가겠다.” (2022/10/06, 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성테크 데이 2022’에서)

"최근 미국과 유럽 등 주요 국가에서 앞다퉈 반도체 산업 지원법을 마련하면서 대규모 투자 지원을 아끼지 않고 있다.정부에서도 한국의 반도체 업계가 경쟁에서 밀리지 않도록 지원을 과감히 확대하는 방안을 검토해 주시기 바라고 저희 업계도 지속적으로 국가 경제에 이바지할 수 있도록 최선을 다하겠다." (2022/02/16, 산업통상자원부 주최 반도체 투자 활성화 간담회에서)

“10나노미터 이하 D램, 1천 단 이상의 낸드플래시 기술 확보를 위해 새로운 혁신을 준비해야 한다. 소재, 부품, 장비 업체와 협력하고 전문인력을 양성해 기술적 난제를 극복해야 한다.” (2021/10/26, 온라인으로 열린 ‘제23회 반도체대전’ 기조연설에서)

“3세대 10나노급(1z) 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품이다. 프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나가겠다." (2020/08/30, 세계 최대 반도체공장 평택2라인에서 1z LPDDR5를 생산하며)

“업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다. 내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는 데 기여하겠다.” (2020/03/25, 업계 최초로 EUV 공정으로 생산한 D램을 양산하며)

“현재 주력 공정인 2세대 10나노급(1y)을 기반으로 차세대 LPDDR5 D램의 안정적인 공급 체제를 구축해 글로벌 고객들이 플래그십 스마트폰을 적기에 출시하는 데 기여하게 됐다. 향후에도 차세대 D램 공정 기반으로 속도와 용량을 더욱 높인 라인업을 한 발 앞서 출시해 프리미엄 메모리 시장을 지속 성장시켜 나가겠다.” (2019/07/18, 12Gb LPDDR5 모바일 D램을 세계 최초로 양산하며)

“배울 게 많은 시기인 만큼 성장하는 데 관심을 가졌으면 좋겠다. 또한 내가 하고 있는 일에 의미를 부여할 줄 알고 회사에 기여할 수 있는 것이 무엇인지 고민해보라. 그렇게 나의 일에 가치를 부여하다 보면 D램개발실을 이끌어나가는 주인공이 되어 있을 것이다.” (2019/07, 삼성전자 메모리사업부 임직원 입사 1주년 기념행사 ‘블루페스티벌’에서 후배들에게 조언하며)

“미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다. 향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나가겠다.” (2019/03/21, 세계 최초로 3세대 10나노급(1z) D램을 개발한 뒤)

“256GB UFS 카드는 가장 큰 용량과 빠른 속도로 소비자들에게 최고의 사용경험을 제공한다. 향후 더욱 속도를 높인 라인업을 출시하여 메모리카드 시장의 패러다임을 속도 중심으로 전환해 시장 성장을 주도해 나가겠다.” (2016/07/07, 최대 용량과 최고 속도를 구현한 256GB UFS 카드를 출시하며)

“초고속이면서도 가장 작은 폼팩터로 512GB 용량을 제공해 차세대 PC의 디자인 유연성이 더욱 높아졌다. 향후 글로벌 IT 업체들은 더 얇고 스타일리시한 혁신적인 PC를 출시할 수 있을 것이다.” (2016/05/31, 세계 최소·최경량 SSD를 출시하며)

“글로벌 서버 기업들의 초고용량 SAS SSD의 공급 확대 요구를 만족시키기 위해 최선을 다하고 있다. 향후에도 한발 앞선 3차원 메모리 기술 개발로 차세대 SSD를 선행 출시하여 글로벌 IT 시장 트렌드 및 프리미엄 메모리 시장의 성장세를 지속 견인해 나가겠다.” (2016/05/31, 세계 최대 용량의 15.36TB 서버용 SSD를 출시하며)

“3비트 내장메모리 라인업으로 모바일 기기의 메모리 고용량화 트렌드를 주도하겠다. 향후 성능과 용량을 더욱 높인 차세대 라인업을 선보여 모바일 고객사의 수요 증가에 차질 없이 대응해 나가겠다.” (2015/03/19, 업계 최대 용량 128㎇ 스마트폰 내장 메모리를 출시하며)

“세계적으로 데이터 사용량이 폭발적으로 늘어나고 있지만 전력과 서버용량이 이를 따라가지 못하는 상황에 맞닥뜨릴 수 있다. 삼성전자의 그린메모리를 통해 저전력, 고용량, 저비용, 고효율을 달성할 수 있다.” (2014/05/19, 홍콩에서 열린 투자자포럼에서)

“LPDDR2 모바일 D램에는 4Gb 메모리를 탑재해 메모리 자체 성능을 30% 올릴 수 있었다. 스마트폰 등의 작동속도가 빨라져 갤럭시S2 등 모바일기기 사용자가 달라진 성능을 바로 체감할 수 있다.” (2012/03/19, 4Gb LPDDR2 모바일 D램으로 IR52 장영실상을 수상하며)

“더 빠른 D램을 소비자에게 전달하기 위해 노력하고 있다. 향후 차세대 D램 관련 기술의 개발에 주력해 국가경제 발전에 이바지 하고 싶다.” (2006/05/19, 제41회 발명의 날에 산업포장을 수상한 소감을 밝히며)