삼성전자가 세계 최대 규모의 반도체공장인 평택 2라인에서 제품을 본격적으로 생산하기 시작했다.

삼성전자는 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 평택 2라인에서 양산하기 시작했다고 30일 밝혔다.
 
삼성전자의 평택 2라인은 연면적이 축구장 16개 크기에 이르는 12만8900㎡ 규모의 반도체 생산라인으로 세계 최대 규모다.

평택 2라인은 이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인을 갖춰 4차산업혁명시대의 ‘반도체 초격차’ 목표 달성을 위한 핵심적 역할을 맡는다.

삼성전자는 평택 2라인에 5월 극자외선 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을, 6월 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인을 착공했다.

두 라인 모두 2021년 하반기부터 본격 가동된다.

삼성전자는 “평택 2라인은 2018년 8월에 발표한 180조 원 투자, 4만 명 고용계획의 일환으로 건설된 것”이라며 “어려운 여건 속에서도 신규투자와 채용을 적극 확대하고 있다”고 말했다.

삼성전자는 평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에도 30조 원 이상의 자금을 투자한다. 직접 고용하는 인력은 약 4천 명으로 예상되고 협력업체와 건설인력을 포함하면 약 3만 명 이상의 고용창출이 기대된다.

평택캠퍼스는 2015년부터 조성된 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지로 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했고 평택 2라인은 2018년 1월 착공돼 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다.
 
삼성전자가 평택 2라인에서 만드는 LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음으로 극자외선 공정이 적용됐다. 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품으로 평가된다.

삼성전자는 올해 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량의 16GB(기가바이트) LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 10나노급(1z) 공정까지 양산하며 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화했다.

이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 모바일 D램보다 16% 빠른 동작 속도를 낼 수 있다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB를 처리할 수 있다.

LPDDR5 모바일 D램은 기존 제품과 비교해 30% 더 얇은 패키지를 만들 수도 있다. 이를 통해 멀티카메라, 5G 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 “이번 D램은 역대 최고 개발 난도를 극복하며 미세공정에 새로운 패러다임을 제시한 제품”이라며 “프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리시장 확대에 기여하겠다”고 말했다. [비즈니스포스트 임한솔 기자]