▲ SK하이닉스가 고대역폭메모리 선두자리를 지키기 위해 6세대 HBM인 HBM4에서 TSMC와 손잡을 가능성이 높은 것으로 전망되고 있다. |
[비즈니스포스트] SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 선두자리를 지키기 위해 TSMC와 손잡을 것으로 보인다.
1일 반도체업계에 따르면 6세대 HBM인 ‘HBM4’ 일부 부품에 시스템반도체에서 활용되는 핀펫 공정이 적용될 것이라는 관측이 제기된다.
유명 IT 팁스터(정보유출자) 레베그너스는 “HBM4는 로직다이에 고급 핀펫 공정이 필요하기 때문에 SK하이닉스가 자체적으로 생산하는 것은 불가능하다"며 "SK하이닉스는 TSMC의 7나노 핀펫 공정을 활용할 것”이라고 말했다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고대역폭 메모리반도체다.
D램을 여러 개 적층하면 기반 면적당 훨씬 높은 용량을 확보할 수 있는데 이를 통해 대용량의 데이터 처리가 가능해진다.
최근 대용량 데이터 처리가 필요한 인공지능(AI) 시장이 급격히 커지면서 HBM은 메모리반도체 기업들의 새 성장동력으로 부각되고 있다.
특히 SK하이닉스는 HBM 분야에서 삼성전자, 마이크론 등 경쟁업체보다 앞서있다. 2022년 기준 SK하이닉스는 HBM 시장점유율 50%를 차지했다.
HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발돼 왔으며 2024년 5세대(HBM3E)에 이어 이르면 2025년에는 6세대 HBM4가 출시될 것으로 예상된다.
HBM은 여러 개의 D램이 로직(시스템)다이 위에 수직으로 연결되는 구조인데 HBM4에는 로직다이 제조에 핀펫 공정이 처음으로 도입될 것으로 보인다.
손교민 삼성전자 메모리사업부 D램 설계팀 마스터도 5월30일 경기 성남시 판교 반도체산업협회에서 열린 ‘챗GPT와 인공지능 반도체 미래기술 워크숍’에서 “핀펫 기술이 HBM4부터 적용될 가능성이 굉장히 높다”며 “이는 삼성전자와 경쟁사 모두 마찬가지”라고 말했다.
핀펫 공정은 반도체 구성요소인 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널과 이를 제어하는 게이트 접촉면이 3면에 이르는 기술로 첨단 파운드리(시스템반도체 위탁생산) 공정에서 활용되고 있다.
따라서 파운드리 사업을 하지 않는 SK하이닉스는 삼성전자, TSMC 등 파운드리 업체와 협력할 필요성이 있다.
다만 삼성전자는 HBM 경쟁사이기도 한 만큼 SK하이닉스는 TSMC와 협력하는 방안을 추진하는 것으로 분석된다. 나병현 기자