[비즈니스포스트] 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 올해 고대역폭메모리(HBM) 생산 물량은 이미 모두 판매됐으며, 내년 물량까지 올 상반기 내로 ‘솔드아웃’(완판) 될 것이라고 밝혔다.

또 첨단 D램 공정인 1c D램 공정을 다양한 분야에 적용할 계획이며, 차세대 1d 공정 경쟁력도 유지해 나가겠다고 했다.

SK하이닉스는 27일 경기도 이천 SK하이닉스 본사에서 제77기 정기 주주총회를 열었다. 

곽 사장은 올해 사업 전망과 관련해 "보호무역주의 확산과 지정학적 불확실성이 지속되고 있지만, 인공지능(AI) 분야는 빅테크 기업들의 투자 확대로 메모리반도체 수요가 폭발적으로 증가하고 있다"고 말했다.

곽 사장은 외부 시장조사업체 조사 자료를 인용하며 올해 HBM 수요는 2023년과 비교해 8.8배 증가할 것으로 예상했다. 또 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 수요 역시 3.5배 늘어날 것으로 전망했다.

그는 “HBM은 제품 특성 상 높은 비용과 긴 시간이 소요된다”며 “2025년 물량은 이미 솔드아웃 됐고, 2026년 물량도 올해 상반기 내 솔드아웃 될 것으로 예상된다”고 말했다.

이어 그는 “1d 나노 D램 공정 기술 경쟁력도 유지하겠다”며 “1c 나노 기술은 다양한 분야에 적용을 준비하고 있다”고 했다.

첨단 D램 공정 난이도는 1a(4세대), 1b(5세대), 1c(6세대), 1d(7세대) 순으로 높아지는데, 세대가 높아질수록 전력효율과 성능이 향상된다. HBM은 D램을 위로 쌓아 만들고 있어, D램 기술력은 HBM 경쟁력으로 이어진다.

SK하이닉스는 지난해 하반기 업계 최초로 1c 나노 기술을 적용한 DDR5 D램 생산에 성공했다. 경쟁사인 마이크론은 최근 1c 나노 공정 개발에 성공했으며, 삼성전자는 1b 나노 기술 안정화에 성공한 것으로 파악된다. 

SK하이닉스는 이보다 앞선 1d 나노 기술을 개발하고 있다. 
 
그는 또 "6세대 HBM4와 저전력 메모리반도체 모듈인 ‘SOCAMM(Small Compressed Add-On Memory Module)’ 양산도 올해 진행할 것"이라고 밝혔다.

그는 “HBM4 12단 제품의 샘플을 고객사에 제공했으며, 하반기 양산에 돌입한다”며 “SOCAMM 시장에 대응하기 위해 주요 고객사와 협업하고 있으며, 이 역시 올해 양산할 계획”이라고 말했다.

SOCAMM은 엔비디아가 새롭게 개발한 저전력 메모리반도체 모듈로 올해 하반기 출시될 AI 서버 ‘블랙웰 울트라(GB300)’에 탑재된다.

낮은 전력 소모로 미래 산업인 로봇, 자율주행차, AI PC 등에도 활용될 것으로 예상돼 차세대 HBM으로 불린다.

한편 이번 주총 안건으로 상정된 재무제표 승인, 이사 선임, 이사 보수한도 승인 등은 원안대로 가결됐다. 

곽 사장은 사내이사에 재선임됐으며, 한명진 SK스퀘어 대표이사 사장은 기타비상무 이사에 선임됐다. 이사보수 한도는 150억 원으로 책정됐다. 김호현 기자