[비즈니스포스트] 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 가격이 전세대보다 30% 정도 인상될 것이란 전망이 나왔다.

김동원 KB증권 연구원은 19일 “HBM4는 직전 세대인 HBM3E 대비 30% 단가 인상이 예상된다”며 “단가 인상은 제조 비용의 증가가 원인인데, 기존 1b D램 메모리 웨이퍼 비용이 약 2천~2500달러인 반면, TSMC에서 생산하는 HBM4 로직 웨이퍼는 약 7천~8천 달러로 기존 대비 3~4배 증가한다”고 분석했다.
 
또 입출력(I/O) 채널의 증가(1024개 → 2048개)로 인해 범프와 적층 공정의 난이도가 상승하며, HBM4 다이 크기는 HBM3E 대비 15~20% 증가할 것으로 전망된다.

이에 따라 HBM3E 출시 당시 20%의 평균판매단가(ASP) 상승에 반해, HBM4는 30% 이상의 단가 인상이 있을 것으로 보인다.

2026년 HBM 총 출하량은 연간 300억 기가바이트(Gb)를 넘어서며, 2026년 하반기에는 HBM4가 HBM3E를 대체하며 주력 제품이 될 것으로 예상됐다.

삼성전자와 SK하이닉스는 HBM4 가격 인상을 통해 수익성을 확보할 수 있을 것으로 분석된다.

김 연구원은 “엔비디아의 차기 모델인 루빈과 AMD의 MI400 시리즈에 HBM4가 탑재될 것”이라며 “HBM4는 HBM3E 대비 30% 단가 상승이 예상되어 삼성전자와 SK하이닉스 실적 전망에 긍정적 요인이 될 것”이라고 내다봤다. 나병현 기자