삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산)사업에서 새 공정 개발에 들어갔다.

삼성전자는 29일 열린 2021년 1분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 “파운드리사업에서 3나노미터 2세대 공정의 개발에 착수했다”며 “3나노 공정에 기반을 둔 3차원 집적회로(IC)의 패키징기술 개발도 진행하고 있으며 차세대 2.5차원 집적화기술은 이미 개발을 마쳤다”고 밝혔다.
 

글로벌 파운드리 수요에 대응하기 위해 올해 하반기에 평택 공장의 2라인을 본격 가동하겠다는 계획도 밝혔다.

미국 텍사스주 오스틴 파운드리공장이 정상화됐다는 사실도 알렸다.

삼성전자는 “피해 규모는 웨이퍼 총 7만1천 장 정도로 3천억~4천억 원 수준이다”며 “라인은 조기에 정상화했고 현재는 사고의 재발 방지를 위해 오스틴시 정부 및 용수회사, 전력회사 등과 긴밀하게 협의하고 있다”고 말했다.

1분기 미국 텍사스주에 불어닥친 한파로 오스틴 지역에서 정전 및 단수 사태가 발생했다. 삼성전자 오스틴공장도 웨이퍼 생산에 차질을 빚었다.

메모리반도체와 관련해서는 2분기 제품가격 상승세가 더 가팔라질 것으로 내다봤다.

삼성전자는 “수요를 고려하면 가격 상승폭이 1분기보다 더 커질 것으로 본다”며 “업계 전반의 공급여력이 제한되고 있어 하반기에도 이런 추세가 지속될 것으로 보인다”고 말했다.

삼성전자는 “하반기에도 글로벌 데이터센터와 신규 CPU(중앙처리장치) 출시에 힘입어 서버와 스토리지(저장장치) 중심으로 메모리 수요 강세가 이어질 것이다”고 전망했다.

올해 글로벌 메모리반도체 생산회사들의 비트그로스(비트 단위로 환산한 생산 증가율)은 D램을 20%, 낸드플래시를 30% 중반대로 각각 예상했다.

삼성전자는 극자외선(EUV) 장비를 활용한 14나노미터 공정의 D램을 하반기부터 양산하기로 했다.

삼성전자는 “이미 주요 칩셋회사들로부터 성능을 인정받았다”며 “기술 패러다임 변화에 있어서 극자외선 기술이 중요하기 때문에 우리 경쟁력의 밑거름이 될 것이라 보고 있다”고 말했다.

낸드플래시와 관련해서는 적층 효율을 중시하는 태도를 보였다.

삼성전자는 “앞으로 낸드 기술은 단수(쌓아올리는 층수)뿐만 아니라 적층효율이 중요해질 것이다”며 “더블 스택(이중 적층) 공정을 200단 후반대까지 적용해 원가경쟁력을 확보하겠다”고 말했다.

현재 글로벌 낸드플래시시장에서 SK하이닉스의 인텔 낸드사업부 인수와 미국 마이크론의 일본 키옥시아 인수 추진 등 인수합병을 통한 점유율 확대 움직임이 나타나고 있다.

삼성전자는 “낸드플래시 전략에서 인위적 인수합병은 없다는 것이 기본적 입장”이라며 “원가경쟁력과 기술력 등 핵심 경쟁력에 초점을 맞춰 낸드사업을 지속하겠다”고 말했다.

삼성전자는 “올해 하반기 각 나라들의 경기부양책으로 경기 회복이 가속화할 것으로 예상되는 만큼 D램을 중심으로 한 메모리반도체 수요가 이어질 것으로 보인다”며 “파운드리 협력을 강화하고 외주 파운드리를 활용해 공급능력을 확대하겠다”고 덧붙였다. [비즈니스포스트 강용규 기자]