[비즈니스포스트] 삼성전자가 2나노 반도체 양산 경쟁에서도 TSMC를 앞설 것이란 전망이 나왔다.

해외 IT전문매체 샘모바일은 현지시각 16일 “현재 삼성전자는 차세대 반도체 제조 기술 분야에서 경쟁사보다 앞서 있는 것으로 보인다”며 “TSMC는 대만 바오산에 2나노 공장을 짓는다는 계획을 세웠지만 경제상황으로 인해 예상보다 늦게 가동될 수 있다”고 보도했다.
 
TSMC는 당초 2025년 2분기에 2나노 기반의 반도체를 양산할 것으로 예상됐다.

그러나 글로벌 경기악화에 따른 반도체 수요 둔화로 TSMC의 바오산 공장 건설 속도가 늦춰지고 있으며 2025년 4분기부터 월 3만 개의 웨이퍼를 생산할 수 있을 것으로 보인다.

2나노 생산일정이 약 2분기 정도 늦춰쥐는 셈이다.

반면 삼성전자는 2025년 초 2나노 양산에 들어가고 2027년 1.4나노 기반 반도체를 생산한다는 목표를 세우고 이를 차질없이 추진하고 있는 것으로 파악된다.

또 삼성전자는 이미 3나노에서 게이트올어라운드(GAA) 공정을 도입했던 만큼 같은 공정을 사용하는 2나노에 좀 더 수월하게 진입할 수 있을 것으로 분석된다.

게이트올어라운드(GAA)는 반도체 기본 구성요소인 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널과 이를 통제하는 게이트가 4면에서 맞닿게 하는 기술이다.

채널과 게이트 접촉면이 3면에 그치는 기존 ‘핀펫’ 방식보다 게이트의 통제력이 더 강화돼 전력을 적게 소모하고도 성능이 개선될 뿐만 아니라 누설전류 문제도 해결할 수 있다.

반면 TSMC는 3나노까지 핀펫 방식을 고수했고 2나노에서 처음으로 GAA를 도입한다. 이에 따라 초반 수율(완성품 비율)을 잡는 데 어려움을 겪을 가능성이 있다.

삼성전자는 3나노 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 양산도 2022년 7월 세계 최초로 시작했다. TSMC의 3나노 양산과 비교하면 6개월 정도 빨랐다.

샘모바일은 “경제 상황이 TSMC의 2나노 생산 계획에 영향을 미쳤으며 이는 삼성전자가 경쟁사를 이길 가능성이 커지는 것을 의미한다”고 분석했다. 나병현 기자