[비즈니스포스트] SK하이닉스가 미국에서 차세대 메모리 아키텍처의 방향성을 제시했다. 

SK하이닉스는 4~6일(현지시각) 미국 캘리포니아에서 열린 메모리·스토리지 분야 세계 최대 규모 전시회 'FMS 2026'에서 메모리를 유기적으로 연결하고 최적화하는 '계층형 메모리' 기반 차세대 아키텍처를 공개했다고 7일 밝혔다. 
 

계층형 메모리는 속도·용량·비용이 각기 다른 메모리를 계층별로 나눠 유기적으로 연결한 뒤 최적화한 아키텍처다.

인공지능(AI) 워크로드가 고도화될수록 단일 메모리만으로는 고객과 시장의 니즈를 충족하기 어려워 그 중요성이 커지고 있다. 

김천성 SK하이닉스 부문장은 "AI가 학습 중심에서 대규모 추론, 나아가 에이전틱 인공지능(AI)로 확장되면서 인프라 경쟁력은 개별 메모리 제품의 성능만으로 결정되지 않는다"며 "고대역폭메모리(HBM), D램, 낸드, 고대역폭플래시(HBF), 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 각 메모리 계층을 어떤 위치에 배치하고 어떻게 연결해 데이터 이동을 최소화하느냐가 전체 효율을 좌우하게 될 것"이라고 말했다. 

이어 "앞으로는 모든 메모리 계층을 아우르는 최적화된 아키텍처를 구현하는 역량이 AI 인프라 경쟁력의 핵심이 될 것"이라고 강조했다. 

4일 공개한 샌디스크와 협력해 제작한 HBF 표준 규격 관련 논의도 오갔다.  

임의철 SK하이닉스 설루션AT 담당은 "HBF는 HBM처럼 수직관통전극(TSV) 기술을 적용해 기존 스토리지의 대용량 특성과 D램에 필적하는 고대역폭을 동시에 구현한 새로운 개념의 메모리로, 초고속 메모리인 HBM과 대용량 저장장치인 SSD 사이에서 새로운 메모리 계층으로 자리 잡을 충분한 잠재력을 갖고 있다"고 말했다.

이어 HBF를 AI 시스템의 확장성을 높이고 운영 비용을 절감할 핵심 설루션으로 꼽으며, 이를 위해 하드웨어와 소프트웨어를 함께 설계하는 코디자인 접근의 중요성을 강조했다. 아울러 SK하이닉스가 주요 파트너와 함께 차세대 기술 확보와 표준화에 매진하고 있다고 설명했다.

HBM·서버 D램·낸드·CXL에 이르는 AI 인프라 전 계층을 아우르는 SK하이닉스의 기술력도 선보였다. 

특히 '파트너십존'에서 엔비디아, 델 등 AI 기술 진화를 이끌어가고 있는 주요 빅테크들과 견고한 협업 관계와 이를 가능케 한 SK하이닉스의 기술 역량을 부각했다.

전시대에는 HBM4 모형과 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '베라 루빈' 모형이 배치됐다. 이를 통해 양사의 기술이 어떻게 결합되는지 직관적으로 보여줬다.     

웨이퍼 본딩(웨이퍼간 접합)을 적용한 최초의 낸드 제품인 '375단 4D 낸드 웨이퍼' 등도 관람객의 시선을 사로잡았다.

컴퓨트익스프레스링크(CXL) 기반 차세대 메모리 기술도 선보였다.  

이를 통해 SK하이닉스는 CXL 풀드 메모리를 기반으로 임시 메모리 격인 KV 캐시를 전달하거나 재사용할 경우, 네트워크 통신을 이용하는 기존 시스템 대비 성능이 대폭 향상될 수 있음을 입증했다.

풀드 메모리는 여러 개의 CXL 메모리를 묶어 풀을 만들고 이를 여러 호스트가 효과적으로 용량을 나누어 사용함으로써 전반적인 메모리 사용률을 높이는 기술이다. 

강욱성 SK하이닉스 차세대상품기획 담당은 "SK하이닉스는 HBM부터 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 기반 메모리, 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)에 이르기까지 AI 인프라의 전 계층을 아우르는 폭넓은 포트폴리오를 보유하고 있다"며 "앞으로는 제품 설계 단계부터 고객이 필요로 하는 최적의 설루션을 함께 고민하고 제공하는 것이 SK하이닉스의 역할이 될 것"이라고 말했다. 김나영 기자