이재용 삼성전자 부회장이 새해 첫 경영일정으로 반도체 개발현장을 방문했다.

이 부회장은 2일 경기도 화성 삼성전자 화성사업장에 있는 반도체연구소를 찾아 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술을 보고받고 DS부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다.
 
이재용 새해 첫 날 삼성전자 3나노 개발현장 방문, "역사 만들어 가야"

이재용 삼성전자 부회장.


이 부회장이 새해 첫 경영행보를 반도체 개발현장에서 시작한 것은 메모리에 이어 시스템반도체 분야에서도 세계 1위가 되겠다는 비전을 다시 한 번 임직원과 공유하며 목표달성 의지를 다진 것으로 풀이된다.

삼성전자는 반도체 미세화의 한계를 극보할 수 있는 차세대 기술 GAA(Gate-All-Around)를 3나노 반도체에 적용했다.

이 기술은 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품보다 칩 크기를 35% 이상 줄여주고 소비전력을 50% 감소시키면서 처리속도는 30% 높일 수 있다.

이 부회장은 “과거 실적이 미래 성공을 보장해주지 않는다”며 “역사는 기다리는 것이 아니라 만들어 가는 것”이라고 말했다.

그는 “잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자”며 “우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자”고 덧붙였다. [비즈니스포스트 김디모데 기자]