삼성전자의 시스템반도체 위탁생산 미세공정 기술력이 빠르게 발전해 최대 경쟁사인 대만 TSMC를 뛰어넘을 수 있을 것으로 전망됐다.

유종우 한국투자증권 연구원은 7일 "삼성전자는 최근 해외 투자자포럼에서 반도체 위탁생산기술 발전계획을 발표했다"며 "TSMC에 기술우위를 확보할 가능성이 높다"고 분석했다.
 
삼성전자는 하반기부터 EUV(극자외선) 장비를 최초로 도입해 미세공정기술 한계를 극복한 7나노 반도체 위탁생산을 시작할 계획을 세우고 있다.

유 연구원은 삼성전자 7나노 공정이 가상화폐 채굴장비에 사용되는 맞춤형 반도체에 가장 먼저 활용될 가능성이 높다고 내다봤다.

삼성전자는 미세공정 기술을 계속 발전시켜 2020년까지 3나노 공정 개발을 마무리하겠다는 구체적 계획도 내놓았다.

반도체 위탁생산기술에 사용되는 미세공정기술은 숫자가 낮아질수록 회로선 폭이 좁아져 성능과 전력효율을 높일 수 있고 반도체 크기도 줄일 수 있다.

삼성전자와 TSMC는 최근 수년 동안 미세공정기술 개발속도에서 우위를 차지하기 위해 치열한 경쟁을 벌여 오고 있다.

삼성전자가 2015년 14나노 기술을 먼저 개발하며 TSMC를 잠시 앞질렀지만 TSMC가 올해 7나노 공정 개발과 양산에 삼성전자보다 앞서 나가며 다시 선두를 확보했다.

유 연구원은 "삼성전자가 2020년이나 2021년부터 3나노 공정 기반의 반도체 위탁생산 고객사를 확보한다면 선두업체인 TSMC를 충분히 앞지를 수 있을 것"이라고 내다봤다. [비즈니스포스트 김용원 기자]