[비즈니스포스트] 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 첨단 반도체 생산의 4분의 3 이상을 담당하고 있는 것으로 파악됐다.

전자전문매체 일렉트로닉스위클리는 1일(현지 시각) 노메타리서치(Knometa Research)의 보고서 ‘글로벌 반도체 생산 2023(Global Wafer Capacity 2023)’를 인용해 “2022년 말 기준으로 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론은 첨단 D램과 3차원(3D) 낸드의 막대한 물량을 바탕으로 최첨단 반도체 생산의 76%를 차지하고 있다”고 밝혔다.
 
해당 보고서는 공정 수준을 첨단(leading-edge), 후행(lagging-edge), 성숙(mature), 구식(large feature) 4가지로 분류해 각 공정별 상위 기업들을 추렸다.

첨단 공정은 3~6나노미터 파운드리(시스템반도체 위탁생산), 4~7나노미터 인텔 마이크로프로세서(MPU), 11~14나노미커 D램, 176단 이상 3D 낸드 등이다.

후행 공정은 7~16나노미터 파운드리, 10~14나노미터 인텔 마이크로프로세서, 15~20나노미터 D램, 64~144단 3D 낸드를 뜻한다.

성숙 공정은 20나노~0.11마이크로 로직 반도체와 20나노 이상 D램을, 구식 공정은 0.13 마이크로미터 이상 공정을 의미한다.

삼성전자는 2022년 첨단·후행 공정에서 모두 가장 많은 생산을 한 것으로 조사됐다. 삼성전자는 D램과 낸드 등 메모리반도체의 상위 공급자이면서 저전력 로직반도체나 삼성 스마트폰의 통합칩(SoC)에 탑재되는 고성능 칩 등의 최대 생산자이기도 하다.

파운드리 선두 업체인 대만 TSMC는 4가지 공정 모두에서 5위 권에 들었다. TSMC는 광범위한 고객들에게 다양한 공정 기술 포트폴리오를 제공하고 있다.

다른 순수 파운드리 UMC와 SMIC는 성숙 공정에서 두드러진 역할을 하고 있는 것으로 파악됐다.

아날로그반도체와 아날로그 중심 혼합신호 반도체 분야의 업계 최고인 텍사스인스트루먼트는 지난해 말 기준으로 구식 공정에서 가장 많은 생산을 한 것으로 조사됐다.

ST마이크로일렉트로닉도 성숙·구식 공정으로 진행되는 아날로그반도체와 마이크로컨트롤러유닛 등의 최대 공급업체 가운데 하나로 꼽힌다. 류근영 기자