삼성전자가 D램 생산라인 증설규모를 시장 전망과 비교해 큰 폭으로 늘리는 것으로 알려졌다.

D램 생산라인 일부를 이미지센서용으로 전환하면서 줄어드는 D램 생산력을 보충하려는 것으로 풀이된다.
 
김경민 하나금융투자 연구원은 16일 “삼성전자 D램 증설규모가 웨이퍼 기준 2만5천 장 수준에 그치지 않고 5만 장에 이를 가능성이 있다”고 밝혔다.

한 매체는 삼성전자가 당초 웨이퍼 10만 장 규모로 예상됐던 반도체 증설규모를 큰 폭으로 늘려 20만 장 수준 증설을 계획하고 있다고 보도했다. 증설규모는 D램 5만 장, 낸드플래시 11만 장, 비메모리반도체 4만 장 수준으로 파악된다.

특히 D램 증설규모는 기존 예상치인 2만5천 장에서 2배로 늘어났다.

김 연구원은 삼성전자가 D램 생산라인의 이미지센서 전환에 대응해 증설규모를 확대한다고 봤다.

삼성전자는 1만 장 규모 D램 생산라인을 이미지센서용으로 전환하는 것으로 알려졌다. 이미지센서는 D램과 비교해 더 많은 공정이 필요한 만큼 기존 D램 생산력에서 2만 장가량은 줄어들 것으로 예상된다.

김 연구원은 “삼성전자는 D램 생산능력 감소에 대응하는 증설이 필요하다”며 “2020년 안에 최소한 2만 장 규모로 증설해야 한다”고 말했다.

다만 D램 증설속도는 업황에 따라 달라질 것으로 보인다.

김 연구원은 “상반기 D램 생산라인을 2만5천 장 규모 더 증설한 뒤 추가로 증설이 추진되더라도 속도는 업황에 따라 탄력적일 것”이라며 “D램 업황이 막 개선됐는데 제품 가격의 반등흐름을 훼손할 정도로 증설하지는 않을 것”이라고 바라봤다. [비즈니스포스트 임한솔 기자]