SK하이닉스가 업계 최고 수준의 용량을 갖춘 3세대 10나노급 D램을 내놓았다.

SK하이닉스는 21일 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) 4세대 표준규격(DDR4) D램을 개발했다고 밝혔다.
 
단일 칩 기준으로 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리의 총용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. 

2세대(1y) 제품보다 생산성이 약 27% 높아졌고 초고가의 극자외선(EUV) 노광 공정 없이 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다.

데이터 전송속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다.

전력효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력소비를 약 40% 줄였다.

3세대 제품은 이전 세대 생산공정에 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심요소인 정전용량(Capacitance)를 극대화했다. 새로운 설계기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.

이정훈 SK하이닉스 D램개발사업 1z TF장은 “3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력효율을 갖춰 고성능 고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 적합한 제품”이라고 말했다.

그는 “연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극적으로 대응할 것”이라고 덧붙였다.

SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해 나간다는 계획을 세웠다. [비즈니스포스트 김디모데 기자]