삼성전자와 SK하이닉스가 올해 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체의 공급과잉에 대응해 시설투자를 크게 축소했지만 내년부터 투자가 다시 확대될 가능성이 높다.

김영건 미래에셋대우 연구원은 16일 "반도체기업들이 시설투자 축소와 생산량 감축에 적극적 태도를 보이고 있다"고 분석했다.
 
삼성전자 SK하이닉스, 반도체 시설투자 내년부터 다시 늘릴 듯

▲ 김기남 삼성전자 DS부문 대표이사 부회장(왼쪽)과 이석희 SK하이닉스 대표이사 사장.


삼성전자와 마이크론, 도시바메모리와 웨스턴디지털 등 세계 낸드플래시업체의 올해 생산투자 규모는 지난해와 비교해 9.2% 줄어들 것으로 추정됐다.

삼성전자는 낸드플래시 투자를 지난해보다 13%, SK하이닉스는 26% 축소할 것으로 예상된다.

삼성전자의 올해 D램 시설투자도 지난해와 비교해 24%, SK하이닉스는 6% 줄어들 것으로 전망됐다.

메모리반도체 재고가 올해 연말까지 높은 수준을 유지할 것으로 예상되는 만큼 삼성전자와 SK하이닉스가 재고 감축을 앞당기기 위해 적극적으로 투자를 축소하고 있는 것이다.

하지만 김 연구원은 삼성전자와 SK하이닉스의 반도체 시설투자가 내년부터 다시 증가세로 돌아설 것이라고 내다봤다.

내년부터 반도체 가격 하락폭이 크게 축소되고 수요는 늘어나면서 업황이 점차 개선될 가능성이 높기 때문이다.

삼성전자의 내년 D램 시설투자 규모는 올해와 비교해 15%, SK하이닉스의 D램 투자는 22% 늘어날 것으로 추정됐다.

같은 기간 낸드플래시 투자 규모도 삼성전자는 15%, SK하이닉스는 22%의 증가폭을 나타낼 것으로 예상된다.

김 연구원은 "반도체 가격 반등을 기대하기 어렵지만 가격 하락에 따른 수요 증가가 시장 성장을 견인할 수 있다"며 "2020년부터 삼성전자와 SK하이닉스의 투자가 가속화될 것"이라고 내다봤다. [비즈니스포스트 김용원 기자]