<div style="text-align:center; margin-top:20px;" > <img alt="흔들리는 SK하이닉스의 HBM 독주, <a href='https://www.businesspost.co.kr/BP?command=article_view&num=408836' class='human_link' style='text-decoration:underline' target='_blank'>곽노정</a> 내년 HBM4E부터 첨단공정 전환해 선두 수성 의지" height="300" class='lazyload' data-src="https://www.businesspost.co.kr/news/photo/202609/20260904150559_201258.jpg" width="600" /> <figcaption><table width=600 style='margin-bottom:20px;'><tr><td align='left' style='margin:0; padding:0px 0px; color:#306f7f; font-size:12px; font-family:verdana; letter-spacing:-0.1em; line-height:160%; table-layout: fixed;'>▲ <a href='https://www.businesspost.co.kr/BP?command=article_view&num=408836' class='human_link' style='text-decoration:underline' target='_blank'>곽노정</a> SK하이닉스 대표이사 사장이 고대역폭메모리(HBM) 1위를 수성하기 위해 HBM4E부터는 첨단 공정을 적극 도입하는 방안을 추진하고 있다. &lt;제미나이로 생성한 AI 이미지&gt;</td></tr></table></figcaption> </figure> </div> [비즈니스포스트] SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM) 독주 체제가 삼성전자와 마이크론 등 경쟁사들의 거센 도전에 조금씩 흔들리고 있다.<br /> <br /> SK하이닉스는 최대 HBM 수요처인 엔비디아에 여전히 가장 많은 HBM을 공급하고 있지만, 선두 자리를 지키기 위해서는 기술 격차를 입증할 필요성이 커지고 있다.<br /> <br /> <a href='https://www.businesspost.co.kr/BP?command=article_view&num=408836' class='human_link' style='text-decoration:underline' target='_blank'>곽노정</a> SK하이닉스 대표이사 사장은 2027년부터 본격적으로 양산에 들어가는 HBM4E(7세대)에 첨단 공정을 적극적으로 적용해, 경쟁사들과 차별화하는 데 집중할 것으로 예상된다.<br /> <br /> 4일 반도체 업계 취재에 따르면 삼성전자가 올해 양산을 시작한 HBM4(6세대) 출하량을 대폭 확대하는 데 성공하면서 기존의 HBM 경쟁 양상이 변화하고 있는 것으로 분석된다.<br /> <br /> 시장조사업체 카운터포인트리서치는 3일 보고서를 통해 2026년 2분기 SK하이닉스의 매출 기준 HBM 점유율이 50%로 1분기 58%에서 하락했다고 밝혔다. 반면 같은 기간 삼성전자의 HBM 점유율은 21%에서 33%로 급증했다.<br /> <br /> 카운터포인트리서치는 &quot;2분기 HBM 매출은 대부분 HBM3E(5세대)에서 발생했으며 HBM4 출하는 하반기부터 본격적으로 확대될 것&quot;이라며 &quot;삼성전자는 HBM4 출하를 본격화하며 하반기 점유율이 추가 상승할 것&quot;이라고 전망했다.<br /> <br /> 일각에서는 2027년 SK하이닉스가 HBM 점유율 1위 자리를 삼성전자에 내줄 것이란 분석도 나온다.<br /> <br /> 스위스 투자은행 UBS는 2027년 SK하이닉스의 HBM 점유율을 39%, 삼성전자의 HBM 점유율을 41%로 전망했다. HBM 시장이 본격적으로 확대된 2022년 이후 처음으로 SK하이닉스가 HBM 점유율 1위에서 내려올 수 있는 것이다.<br /> <br /> 미국 마이크론도 올해 대만과 일본 공장을 중심으로 설비 투자를 확대해 HBM 생산능력을 현재보다 2배로 끌어올린다는 방침을 세운 것으로 알려졌다.<br /> <br /> 정우성 LS증권 연구원은 지난 8월31일 보고서에서 &quot;SK하이닉스 경쟁사의 HBM4 출하 확대와 양산성 개선이 확인될 경우 주요 고객사의 공급선 다변화 가능성이 높아질 것&quot;이라며 &quot;향후 변수는 차세대 제품에서 기술 우위와 고객사 내 높은 점유율을 얼마나 유지할 수 있는지에 달려 있다&quot;고 분석했다.<br /> <br /> 이에 <a href='https://www.businesspost.co.kr/BP?command=article_view&num=408836' class='human_link' style='text-decoration:underline' target='_blank'>곽노정</a> SK하이닉스 대표는 차기 제품인 HBM4E부터 첨단 공정 전환을 통해 기술 우위를 확보하는 데 초점을 맞추고 있다.<br /> <br /> SK하이닉스는 HBM4E에 10나노급 6세대인 &#39;1c D램&#39;을 적용한다. 1b D램(5세대) 공정을 적용했던 HBM4보다 더 미세한 D램 공정을 적용해 동작 속도와 전력 효율을 끌어올리겠다는 것이다.<br /> <br /> 삼성전자는 HBM4부터 1c D램 공정을 활용하고 있다.<br /> <br /> 김기태 SK하이닉스 HBM세일즈&amp;마케팅 담당은 지난 7월30일 2026년 2분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 &quot;HBM4E는 기술 성숙도와 양산 안정성을 확보한 최적의 공정을 적용했다&quot;며 &quot;현재 개발은 계획된 일정에 따라 순조롭게 진행되고 있으며, 2027년 본격 양산이 목표&quot;라고 말했다. <div style="text-align:center; margin-top:20px;" > <img alt="흔들리는 SK하이닉스의 HBM 독주, <a href='https://www.businesspost.co.kr/BP?command=article_view&num=408836' class='human_link' style='text-decoration:underline' target='_blank'>곽노정</a> 내년 HBM4E부터 첨단공정 전환해 선두 수성 의지" height="300" class='lazyload' data-src="https://www.businesspost.co.kr/news/photo/202606/20260611153054_260915.png" width="600" /> <figcaption><table width=600 style='margin-bottom:20px;'><tr><td align='left' style='margin:0; padding:0px 0px; color:#306f7f; font-size:12px; font-family:verdana; letter-spacing:-0.1em; line-height:160%; table-layout: fixed;'>▲ 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 2026년 6월2일 대만 타이베이에서 열린 &#39;컴퓨텍스 2026&#39; 전시회의 SK하이닉스 부스를 방문해 직접 사인을 남긴 HBM4E 반도체 웨이퍼 모습. &lt;연합뉴스&gt;</td></tr></table></figcaption> </figure> </div> 또 HBM4E부터는 TSMC의 3나노 파운드리 공정을 활용해 HBM 베이스다이를 제작하는 방안을 검토하고 있는 것으로 알려졌다.<br /> <br /> 12나노 공정을 활용했던 HBM4보다 공정 수준을 대폭 높이는 것이다. 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E에도 자체 4나노 파운드리 공정을 적용한다.<br /> <br /> 베이스다이는 HBM 최하단에서 상부의 D램과 두뇌 역할을 하는 그래픽처리장치(GPU) 등 로직다이를 연결하는 핵심 부품으로 최근 HBM 성능 경쟁에서 중요성이 부각되고 있다.<br /> <br /> 특히 엔비디아가 기존 고대역폭메모리(HBM)의 구조를 바꾼 맞춤형 메모리 규격 &#39;NVHBM&#39;을 공개하면서 SK하이닉스와 삼성전자의 베이스다이를 둘러싼 경쟁 구도는 새로운 국면을 맞이할 것으로 예상된다.<br /> <br /> NVHBM은 기존 연산 칩에 있던 메모리 컨트롤러를 HBM의 베이스다이 내부로 옮기는 것이 핵심이다.<br /> <br /> 엔비디아는 이를 통해 표준 HBM4E보다 메모리 대역폭을 최대 30% 높이고 HBM 전력 소비는 최대 15% 줄일 수 있다고 설명했다. 또 메모리 컨트롤러가 빠진 AI 연산 칩에서는 최대 25%의 다이 면적을 추가로 확보할 수 있다.<br /> <br /> 엔비디아가 2028년 출시할 것으로 예상되는 차세대 AI 가속기 &#39;파인만&#39;부터 NVHBM을 적용할 가능성이 높은데, <a href='https://www.businesspost.co.kr/BP?command=article_view&num=408836' class='human_link' style='text-decoration:underline' target='_blank'>곽노정</a> 대표는 이와 같은 맞춤형 HBM 시장에 발 빠르게 대응함으로써 경쟁자들의 추격을 뿌리치는데 힘쓸 것으로 예상된다.<br /> <br /> SK하이닉스가 미국 인디애나주에 차세대 HBM 생산 거점 구축에 나선 것도 제품 개발부터 패키징을 마무리하는 과정까지 고객사와 긴밀히 소통하기 위한 움직임으로 해석된다.<br /> <br /> 곽 대표는 8월27일(현지시각) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대학교에서 열린 기자간담회에서 &quot;AI 시대에는 비즈니스 모델이 100% 범용 제품에서 부분 맞춤형 또는 완전 맞춤형 제품으로 이동하고 있다&quot;며 &quot;고객과 SK하이닉스가 차세대 메모리 칩을 함께 개발하고 시스템 성능을 극대화하기 위해 협력해야 한다&quot;고 말했다.&nbsp;나병현 기자