[비즈니스포스트] 중국이 네덜란드 ASML의 극자외선(EUV) 반도체 장비를 대체할 만한 기술을 최소한 10년 안에 상용화하기는 어려울 것이라는 전망이 나왔다.

EUV는 고대역폭 메모리(HBM)와 D램의 수율 및 생산성, 원가 경쟁력 개선에 필수로 꼽히는 만큼 중국이 삼성전자와 SK하이닉스를 추격하는 데 약점으로 남을 공산이 크다.

2일 블룸버그에 따르면 증권사 UBS는 보고서를 내고 “중국이 이른 시일에 ASML의 기술을 대신할 수 있는 실질적 대안을 마련해 역량을 높이기는 어렵다”고 평가했다.

UBS는 특히 일부 반도체 장비 분야에서 중국의 특허 출원 현황을 볼 때 기술력이 2004년의 ASML과 비슷한 단계에 머무르고 있는 것으로 추정된다고 덧붙였다.

ASML은 반도체에 빛으로 회로를 그리는 노광 공정에 쓰이는 극자외선 및 심자외선(DUV) 장비를 제조해 삼성전자와 SK하이닉스, TSMC 등 전 세계 고객사에 공급한다.

네덜란드는 미국 정부의 요청에 따라 중국에 ASML의 고성능 반도체 장비 수출을 제한하고 있다.

중국 정부는 수출 규제에 대응해 자국 기업들의 반도체 장비 연구개발 및 생산 투자를 적극적으로 지원하며 자급체제를 달성하는 데 주력하고 있다.

그러나 EUV 장비 분야에서는 아직 상당한 기술 격차가 남아있다는 분석이 나온 셈이다.

UBS는 “중국의 반도체 노광 장비는 ASML의 제품과 비교해 생산 수율 및 효율성 측면에서 큰 차이를 보일 것”이라고 진단했다.

EUV는 첨단 반도체 파운드리뿐 아니라 고성능 D램 및 HBM 생산 경쟁력에 핵심으로 꼽힌다. 반도체의 생산 효율성과 원가율 개선에 기여하기 때문이다.

따라서 중국이 UBS의 전망대로 EUV 장비 시장에서 기술 경쟁력을 높이는 데 고전하고 있다면 ASML의 장비를 활용하는 글로벌 경쟁사와 맞서기는 어려울 것으로 보인다.

특히 삼성전자와 SK하이닉스의 고성능 D램과 HBM 시장 점유율을 따라잡는 데 주력하고 있는 CXMT도 목표 달성에 한계를 맞을 공산이 크다.

CXMT는 DDR6 규격의 D램과 HBM3E 고대역폭 메모리를 상용화해 생산 체계를 구축하는 데 속도를 내고 있다.

그러나 이 과정에서 EUV나 최신 DUV를 활용하지 못하고 중국에서 수입할 수 있는 구형 노광 장비에 의존한다면 실제 시장 경쟁력은 뒤처질 수 있다.

결국 중국의 자체 노광 장비 기술력이 단기간에 획기적으로 개선되지 않는다면 삼성전자와 SK하이닉스가 CXMT의 공세에 실질적 타격을 받을 가능성은 크지 않다.

UBS는 중국이 앞으로 2~5년 안에 DUV 장비를 대량으로 생산할 수 있는 역량을 확보할 것이라고 내다봤다.

다만 중국에서 자체 개발한 DUV 장비의 성능을 파악하기 어려운 만큼 전망은 다소 불확실하다고 덧붙였다.

결국 UBS는 중국의 핵심 반도체 장비 기술력이 10년 안에 ASML을 따라잡기는 불가능할 것이라며 중국 이외 국가로 수출도 쉽지 않을 것이라고 전망했다. 김용원 기자