SK하이닉스가 업계 최고 수준의 용량을 갖춘 3세대 10나노급 D램을 내놓았다.<br /> <br /> SK하이닉스는 21일 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit(기가비트) 4세대 표준규격(DDR4) D램을 개발했다고 밝혔다.<br /> &nbsp; <figure class="image" style="float:right;margin-right:0px; margin-left:15px; margin-top:30px; "><img alt="SK하이닉스 3세대 10나노급 D램 개발, 단일 칩 기준 현존 최고용량" height="200" class='lazyload' data-src="https://www.businesspost.co.kr/news/photo/201910/20191021111350_32768.jpg" width="300" /> <figcaption><table width=320><tr><td align='left' style='margin:0; padding:0px 0px; color:#306f7f; font-size:12px; font-family:verdana; letter-spacing:-0.1em; line-height:160%; table-layout: fixed; width:180px;'>▲ SK하이닉스가 개발한&nbsp;3세대&nbsp;10나노급(1z) DDR4 D램. &lt; SK하이닉스 &gt;</td></tr></table></figcaption> </figure> <br /> 단일 칩 기준으로 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리의 총용량도 현존하는 D램 중 가장 크다.&nbsp;<br /> <br /> 2세대(1y) 제품보다 생산성이 약 27% 높아졌고 초고가의 극자외선(EUV) 노광 공정 없이 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다.<br /> <br /> 데이터 전송속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다.<br /> <br /> 전력효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력소비를 약 40% 줄였다.<br /> <br /> 3세대 제품은 이전 세대 생산공정에 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심요소인 정전용량(Capacitance)를 극대화했다. 새로운 설계기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.<br /> <br /> 이정훈 SK하이닉스 D램개발사업 1z TF장은 &ldquo;3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력효율을 갖춰 고성능 고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 적합한 제품&rdquo;이라고 말했다.<br /> <br /> 그는 &ldquo;연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극적으로 대응할 것&rdquo;이라고 덧붙였다.<br /> <br /> SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해 나간다는 계획을 세웠다. [비즈니스포스트 김디모데 기자]