삼성전자 극자외선 반도체 생산 가동, 7나노 이하 생산규모 3배 확대

▲ 삼성전자 화성사업장 V1라인 전경. <삼성전자>

삼성전자가 극자외선(EUV) 전용 라인을 본격적으로 가동하며 초미세공정 반도체 생산을 확대한다.

삼성전자는 경기도 화성사업장에서 극자외선 전용 라인인 V1라인을 본격적으로 가동했다고 20일 밝혔다.

V1라인은 삼성전자의 첫 번째 극자외선 전용 라인이다. 2018년 초 건설을 시작해 2019년 하반기 완공됐다. 2020년까지 누적 투자금액은 약 60억 달러 수준이다.

삼성전자는 V1라인에서 초미세 극자외선 공정을 기반으로 7나노부터 3나노 이하까지 차세대 반도체 위탁생산(파운드리) 제품을 주력으로 생산한다는 계획을 세웠다.

V1라인 가동으로 2020년 말 삼성전자의 7나노 이하 제품 생산규모는 2019년보다 3배 이상 늘어날 것으로 예상된다.

삼성전자는 “V1라인은 5G, 인공지능(AI), 자율주행 등 4차산업혁명시대를 가속하는 차세대 반도체 생산 핵심기지로서 역할을 할 것”이라고 기대했다.

극자외선 노광기술은 짧은 파장의 극자외선을 이용해 세밀하게 회로를 그릴 수 있어 고성능 저전력 반도체를 만드는데 필수적 기술이다.

또 극자외선 노광기술을 적용하면 회로를 새기를 작업을 반복하는 멀티패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄일 수 있다. 성능과 수율이 향상되고 제품 출시기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

삼성전자는 2019년 4월 업계 최초로 극자외선 공정을 적용한 7나노 제품을 출하했고 2019년 하반기부터 6나노 제품 양산을 시작했다.

2019년 하반기 5나노 제품 설계를 완료했으며 2020년 상반기에 4나노 공정 개발, 하반기 4나노 제품 설계를 마친다. [비즈니스포스트 김디모데 기자]